器件尺寸相关论文
随着5G通信、云计算、数据中心迅猛发展，基于SOI平台片上光互连作为一种更有前途和吸引力的技术用来缓解通信瓶颈、满足日益增长通......
中国台湾高功率LED封装制造商艾笛森光学公司推出了一款流行产品：EdiPower，功率达到了20W。器件尺寸为14．5mm×14．5mm×0．7mm，驱......
本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅......
本文基于在缺陷空间分布和粒径分布的模型，研究并讨论了计算集成电路（ＩＣ）功能成品率的理论和模拟ＩＣ功能成品率的方法．为了验证所研究方法和......
深亚微米工艺的日趋成熟为电子设计自动化（ＥＤＡ）提供了空前广阔的空间，也使之面临许多崭新的课题，其中，最引人注目的是快速电路模拟技术和互......
当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷．本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设，对其进行了一些改进......
本文提出了一种电流补偿型四象限模拟乘法器。该电路有两部分组成：第一部分是产生与输入电压ＶＸ平方成正比的电流发生器，第二部分是迭式......
Harris半导体公司(位于美国佛罗里达州的Melbourne)宣称它的一项针对2.4GHz工作条件优化了的BiCMOS工艺,可以使无线网的应用线路(......
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受......
观察和分析了微电子器件ＳｉＯ２介质覆盖层对Ａｌ－Ｃｕ金属化系统可靠性的影响。在１．２×１０６Ａ／ｃｍ２、３００℃、Ｎ２气氛保护的电徙动实验条件下，ＳｉＯ２覆盖层影响着Ａｌ－Ｃｕ膜互连线的形态......
作为业界体积最小并且精度最高的24位模/数转换器LTC2400,其主要特性是10ppm的绝对精度,8线SOIC封装;这种封装是同类器件尺寸的四......
随着器件尺寸的缩小，细线条的制作成为很关键的工艺，普通光学光刻已接近其分辨率的极限，而电子束光刻和Ｘ射线光刻技术复杂、费用昂贵。......
从亚微米进入到1/4μm 时代,VLSI 工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用。然而,该技术已作为一种独特的关键技......
30多年来,电子工程师一直认为设计“更小,更快,更廉”的电子器件的主要途径是半导体集成,而且朝着越来越精细方向发展的光刻工艺......
介绍了工作在 1.8V的 8位 12 5 MHz流水线 A/ D转换器 .采用了低功耗的增益自举单级折叠级联运放 ,器件尺寸逐级减小进一步优化功......
目前现存的LVDS驱动不能在低供电电压下工作,双电流源(DCS)LVDS驱动和开关电流源(SCS) LVDS驱动等两种新驱动适用于低电压应用。同......
通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOIMOSFET模型参数.用这种方法提取了基......
随着器件尺寸的缩小,离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此,器件制造商有两个选择:要么围绕可变性......
计算机巨头IBM公司制造出非常接近当今硅逻辑器件尺寸的InGaAsMOSFET。该公司的一个研究小组今年初描述了160nm栅长的上述晶体管。......
实验测量和理论结果均表明,随着MOS器件尺寸缩小到纳米尺度,其过剩噪声的主要成分将从以热噪声为主转变为以散粒噪声为主,且散粒噪......
开口谐振环(SRRs)结构可以激励磁谐振,实现负的磁导率.提出在SRRs两环间隙内引入相对交错的金属短线,并研究了金属短线对谐振频率......
军事与航空电子网站3月17日报道,位于美国加州的Microsemi公司推出基于SERDES的SmartFusion2系列小尺寸系统级芯片(SoC)和IGLOO2现......
为了提高小尺寸绝缘体上硅(SOI)器件的击穿电压,同时降低器件比导通电阻,提出了一种具有L型源极场板的双槽SOI高压器件新结构.该结......
大功率行波管器件尺寸通常很小,散热能力很差,热分析工作直接影响着器件工作的稳定性和可靠性.对于行波管而言,主要热耗集中在降压......
目前，电子器件的封装技术正在向片式化、微型化、高性能化的方向发展。电路板上的电子元件的尺寸越来越小，密度越来越大，而IC引脚的长......
氧化物半导体将以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化。由于氧化物半导体具备可在低温下制备、性能高且透明的特点,因此有......
一种制备金属硅化物的离子束新技术柳百新，朱德华，卢红波（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）随着目前超大规模集成电路的迅速发展，要求器件......
常规的扩散和离子注入加热退火形成P—N结的方法,都涉及到长时间的高温处理,这会导致半导体材料的少数载流子寿命降低,产生二次诱......
在超大规模集成电路中,为了使器件(元件)尺寸微细化,就必须减少引线的宽度和厚度。器件尺寸微细化带来的引线电阻值的增加将造成R......
桑迪亚国家实验室的试验表明,有一种超强度硅基微处理机,在吸收10兆拉德的辐射剂量之后仍能继续工作。这种8位20,000
Experiment......
随着IC集成度、速度、可靠性的增高,人们对难熔金属及其硅化物的研究日益广泛.这类材料具有低电阻、高熔点和低的接触电阻等优点,......
大规模集成电路的发展使集成度不断提高,器件尺寸减小,线条变窄。现常用的多晶硅栅和互连,由于电阻率高,限制了集成电路的速度。......
1 前言 SiO_2上的多晶硅被广泛应用于器件。过去,人们追求把多晶硅表面做得平坦,但我们根据日本电气公司渡边等人的论点,还需对表......
我们开发了一种新的工艺技术，实现了在CMOSVLSI制造中嵌入E2PROM的制造技术。在此新工艺中，制造的是学层多晶硅的E2PROM。与传统的双......
适用于高速ＣＭＬ双极电路的精确解析传播延迟模型＝Ａｎａｃｃｕｒａｔｅａｎａｌｙｔｉｃａｌｐｒｏｐａｇａｔｉｏｎｄｅ－ｌａｙｍｏｄｅｌｆｏｒｈｉｇｈ－ｓｐｅｅｄＣＭＬｂｉｐｏｉａｒｃｉｒｃｕｉｔｓ［刊，英］／ｓｈａｒａ，Ｒ．Ｍ．…ＩＥＥＥＳｏｌｌｄ－Ｓ...
An Accurate Propagation Delay Model for High-Speed CML Bipolar Ci......
一维集成成像是一种只具有水平视差的高垂直分辨率、低成本的3D显示。本文详细描述一维集成成像的工作原理和参数计算，并研制了......
本文介绍了一种Ku频段波导高功率环行器的设计方法.器件尺寸小且需承受高功率,设计时选择了四端差相移式方案.对环行器组成部件电......
三洋电子公司制成直径5mm 的全色 LED 照明器发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光,这种全色 LED 照明器有亮度为3mcd(正向电流5......
硅纳米线做为一维的半导体材料,在纳米电子以及光电子器件方面具有广泛的应用,随着器件尺寸降低,金属与半导体接触电阻影响更加明......
本文主要介绍了异质结双级晶体管(HBT)的器件结构和达林顿电路,并且通过计算和优化证明了:只要确定最佳的器件尺寸以及选择合适的......
