光电集成电路相关论文
现代高速通信系统及计算机芯片对信息获取、处理和传输速率提出了更高的要求。目前大规模集成电路的发展已经进入了瓶颈期,光电集......
介绍通信集成电路相关的硅基CMOS工艺、GaAs HBT与HEMT工艺、SiGe HBT与BiCMOS工艺,介绍东南大学射频与光电集成电路研究所利用多......
光纤用作通信链路起步于 1 975年 ,从那时起其进展一直令人惊奇。纤维光学使带宽革命成为可能 ,在今后几十年仍将继续缝勃发展。光......
对在线工艺过程中实际使用的薄片（厚度为０．５ｍｍ左右）ＧａＡｓ试样中Ｃ浓度和ＥＬ２浓度的测量方法进行了研究，解决了常规方法难以测量薄片ＧａＡｓ中杂质含量的问题。......
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测......
简要介绍了自制的聚焦离子束（ＦＩＢ）系统中束着靶点的飘移现象，分析引起飘移的原因及所采取降低飘移的措施。用此ＦＩＢ进行了一些基本图形的刻蚀......
在全硅和GeSi电光强度调制器研究的基础上，提出了一种新型的电光强度调制器结构，目的在于减小调制电流和提高调制频率。
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介绍了自主开发的多个完整实用的 Ga As IC CAD软件 ,包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波 IC CAD、光电集成......
过去的十几年里 ,无线通信技术得到了飞跃的发展 ,全球移动电话以每天新增 2 5万户的速度“爆炸式”增长 ,预计 2 0 0 0年年底全球......
ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分，既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹......
LLRRM 线 -反射 -反射 -匹配 (校准 )LSB 最低有效位LSG大信号增益LSI大规模集成LTCC 低温共烧陶瓷LTTC—M 在金属芯上的低温共烧......
东南大学毫米波国家重点实验室射频与光电集成电路研究组于1997年10月在由微电子和光电子专家王志功教授的领导下创立。研究组主......
光电子技术是继微电子技术之后近十几年来迅速发展的高技术。像微电子集成电路设计一样,不论是器件级模拟还是电路级模拟,光电子集......
报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属半导体金属光电探测器(MSMPD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器......
介绍了用于高速光电集成电路设计的量子阱半导体激光器高频建模技术,以及相应的模型参数提取技术.上述等效电路模型基于激光器的物......
日本松下电气工业公司开发出具有“异”运算功能的光电集成电路。该集成电路可对两个输入帧之差成象,速度为普通电子集成电路的10......
准分子微细加工技术是80年代发展起来的新兴技术。由于技术自身的强大生命力,加之VLSI(超大规模集成电路)和OEIC(光电集成电路)的......
王志功，男，１９５４年５月生，东南大学无线电系教授，博士生导师，电路与系统学科带头人，毫米波国家重点实验室副主任，射频与光电集成电路研究所所长；纽......
这是美国D.A.T.A.公司新出版的专门介绍电光器件参数的期刊,半年出版一期。1977年第一卷已出版,列举了22类7000种器件的主要参数......
最近,日本光技术共同研究所制备成用计算机自动制备优质大圆片光电集成电路用的GaAs衬底材料。当前制备GaAs单晶常用的方法是液封......
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一、引言近年来甚大规模集成电路(ULSI)发展十分迅速,64MDRAM业已问世,多功能三维立体电路初具雏型。超高速集成电路(VHSIC)以砷......
NEC公司光电研究实验室已制作出1.3μm的光电子集成,该光电集成电路是在InP衬底上光电集成LD和光电二极管,它可用于Gbit/s系统。1......
具有光学、电学器件和注入式激光器的单片集成一直是制造光电集成电路的一个有吸引力的目标。对于集成激光器。关键因素之一是:不......
日本电子技术研究所利用控制半导体原子层的形成生长单晶硅技术首次获得成功。这对于引入注目的超晶格半导体器件及光电集成电路......
我们论证了一种具有半导体激光器和异质结双极晶体管两种功能的新型异质结器件,该器件可适用于高度多功能光电集成电路.它能控制激......
本文报导了1.3μm 波长范围的激光二极管及其高速激励电路首次成功地集成在一起的情况。在这种光电子集成电路中,利用在同一衬底上......
用多层加热器VM-LEC工艺和同时掺镓和砷拉制了直径为2in的半绝缘低位错磷化铟单晶。熔体中镓和砷的浓度小于10~(19)～10~(20)cm~(-3)......
长波长光电集成电路(OEIC)的优点是成本低,可靠性高,改进性能后能适用于高比特率光纤通信系统。过去已报导过用InP材料可做出速度......
近年来,在光电集成电路(OEIC)及高速电子集成电路的微加工中,对GaAs及有关的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导休的干法蚀刻已进行了广泛的研究......
研制成一种起横向注入激光器作用的GaAs/AlGaAs双异质结双极晶体管(DHBT)。DHBT的外延层用金属有机物汽相外延法(MOVPE)生长。实验......
一、引言近来已经明显地看出,光纤通讯比通常的铜导线通讯,具有非常大的传输容量。为了实现光纤通讯的优点,现在大量工作集中在高......
学术论文 期 页异质谷间转移电子效应的实验研究……………………………………薛航时 邓衍茂 张崇仁等11.·种基于电荷法模型的亚......
三菱公司的光电集成电路日本三菱电子公司已生产了一种原型光电集成电路,它由叠加在镓砷化物基片上的多层铟镓砷化物和铟磷光体组......
本文较系统地评述了 MOCVD 或 MBE 实现以 Si 为衬底 GaAs 异质外延工艺,及其在半导体激光器中应用的研究进展。叙述了以 Si 为衬......
化合物半导体微电子技术工程研究中心的长远目光集中在新一代高速通信和数据处理技术上,后者将开发光学互连的连通性、带宽以及对......
近年来,光电集成电路(OEIC)已成为众人瞩目的研究课题。本文报导了日本在发射器OEIC和接收器OEIC及其基本工艺的研究情况。
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报道了应用液相外延（ＬＰＥ）方法，制作了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ半导体光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成器件，器件性能的几个主要参数与国外的同类器件相近
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