亚阈值相关论文
本文利用具有氮氧化物栅介质的ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ和ＣＭＯＳ集成电路研究氮氧化物栅的抗γ总剂量性能，结果表明氮氧化物多层栅介质有比纯ＳｉＯ２更好的抗辐射性能。......
在0．18μm及其以下的晶体管中，如果半导体生产厂不积极进行内建可靠性设计，就不能向用户提供更大规模的LSI。在0．35μm以上的晶体管中，......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物......
研究了一种采用非对称结构和注 Ge的部分耗尽 0 .8μm SOI n MOSFET的浮体效应 ,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约 1V,......
基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和......
期刊
解决漏电流问题已刻不容缓采用65nm制造LSI时,电流将难以控制地大量泄漏出来,这种警告之声越来越高。问题的是,这些电流并不是LSI......
对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,......
制备了一种新型抗辐照SOI隔离结构,它包含了薄SiO2/多晶硅/SiO2多层膜.利用这种结构制备的SOI器件在经受3×105rad(Si)的辐照后亚......
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。实验结果表明不足的边缘注入将会产生边缘背栅寄生晶体......
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱......
提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起......
提出一种新型全耗尽双栅MOSFET,该器件具有异质栅和LDD结构.异质栅由主栅和两个侧栅组成,分区控制器件的沟道表面势垒.通过Tsuprem......
提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法.与现有的统计学方法相比,该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁,但对......
由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大......
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和......
本文在室温下制备了无结结构的低压氧化铟锌薄膜晶体管,并研究了氧分压对其稳定性的影响.氧化铟锌无结薄膜晶体管具有迁移率高、结......
随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重。隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小......
研究了一种新型非对称栅隧穿场效应晶体管(AG-TFET),新型结构结合了隧穿场效应晶体管陡峭的亚阈值摆幅与无结器件较大的开态电流的......
日前,西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)研究领域取得了突......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
近年来,量子点发光二极管(Quantum-Dot Light-Emitting Diodes,QLED)因其冷发光、色纯高、波长连续可调、以及与印刷显示天然适应......
健康物联网(Health Internet-of-Things,H-Io T)被认为是缓解人口老龄化对医疗保障体系压力的重要方式,其核心原理是实时采集人体......
亚阈值电路是低功耗重要发展方向之一。随着电源电压降低,晶圆代工厂提供的标准单元电路性能容易受噪声和工艺偏差的影响,已经成为......
手机中的应用处理器和数字家电产品中使用的LSI大部分带有1MB以上的SRAM。为使其在与逻辑电路相同的频率下工作,必然需要降低阈值......
亚微米沟道n~+多晶或n~+多晶硅化物栅CMOSFET具有较大亚阈值漏电流和较小的驱动电流。CMOS VLSI理想的栅材料所具有的功函数应是硅......
本文从表面电势的大小入手,将亚阀区分为两部分,即弱反型区和多子耗尽区,用扩散理论求得了漏极电流;在多子耗尽区,用理想突变pn结......
在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜......
采用改进模型实现的ＪＦＥＴＳＰＩＣＥ电路模拟＝ＪＦＥＴｃｉｒｃｕｉｔｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇＳＰＩＣＥｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｗｉｔｈａｎｉｍｐｒｏｖｅｄｍｏｄｅｌ［刊．英］／Ｗｏｎｇ，Ｗ．Ｗ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ．Ａｌｄ．Ｄｅｓ．Ｉｎ...
JFETSPICE circuit simulation using improved model = JFETcircuitsimulationusingSPICE......
适用于短沟道ＭＯＳＦＥＴ亚阈值沟道长度调制的简单二维模型＝Ａｓｉｍｐｌｅｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｍｏｄｅｌｆｏｒｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｈａｎｎｅｌ－ｌｅｎｇｔｈｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｉｎｓｈｏｒｔ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｇ...
Simple two-dimensional model for short-channel MOSFET subthreshold ......
本文概述性地探讨了低温ＳＯＩＭＯＳ器件的基本特性，如电流－电压特性、迁移率、阈值电压及亚阈值特性等，并介绍了该器件中所存在的一些效应。
Th......
本论文报告了一种新型的随机电报信号(RandomTelegraphSignal)噪声的全自动测量系统及自动识别方法.该系统以Sagittarius操作系统......
在室温下以射频磁控溅射法制备了一系列沟道宽长比且性能优良的ZnO TFT器件。有源层的沉积采用粉末靶及经过优化的溅射参数，以Al薄......
采用硅岛隔离和经过辐照过的LOCOS隔离制备的SOIMOSFET器件通常都会出现边缘效应，即会出现亚阈值斜率的“隆起”(HUMP)效应.针对产......
文章研究了全温区(-55℃～125℃)内亚阈值斜率的变化情况,并通过HSPICE模拟验证了实验的结果.总结出了变化规律,进一步讨论了产生亚......
MOSFET总剂理加固强烈依赖工艺技术，对干氧方式下没条件制备的NMOS、PMOS管，分析其辐照响应，并借用亚阈值I-V技术分离氧化陷阱电荷和......
随着便携式电子设备在生活中应用越来越广泛,芯片的低功耗设计技术对一个有竞争力的产品而言尤为重要.本文采用了深亚微米标准CMOS......
目的:对比亚阈值微脉冲(STMP)黄激光单独和联合玻璃体腔注射雷珠单抗治疗糖尿病性黄斑水肿(DME)的临床效果及安全性.方法:前瞻性临......
当前的半导体器件已经进入纳米尺度,诸如准弹道输运、量子约束效应等新的物理效应的出现对器件模拟提出了新的挑战和更高的要求。......
基准源是保证集成电路能够正常工作的重要电路模块。随着微电子技术的发展,集成电路的特征尺寸不断减小,电源电压不断降低,在很多......
随着物联网行业的兴起,对高质量电源管理芯片的需求增长迅速。在无线传感器网络和可穿戴设备等物联网应用中,电池容量有限,而电池......
