线性区相关论文
在一个无人机中,线性区的标准应由两部分组成,即有源、无源网络△p_(31)合成的。一般认为放大器的△P＇_(31)=0.3N,变压器、滤波器......
采用原子力显微镜对35℃附近,在不同过饱和度下生长的KDP晶体(100)面生长台阶的推移进行了系统的研究,用激光偏振干涉手段实时测量......
本试验制备了用于AFB_1检测的SPR芯片,建立了检测饲料中黄曲霉毒素SPR检测方法,用于玉米样品中AFB_1的快速定量检测。将偶联抗原AF......
以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中一步合成了CdTe量子点.以该量子点为荧光探针,基于荧光猝灭法对Cu2+离子进行了定量检测.考察了缓冲......
1引言脉冲式手持激光测距仪由于测程远、体积小及无需配合目标等优点，已在军事领域得到广泛应用。但因其测距精度一般均为±5m，不能......
本文阐述了利用模拟电路行为级描述语言AHDL建立的线性稳压源通用行为级模型pvreg.该模型涵盖了国内外主要的线性集成稳压源,并且......
优化材料性能参数和自旋阀巨磁电阻磁头的结构参数是微磁器件实用化的关键。基于建立的物理计算模型，首先将自旋阀巨磁电阻磁头传感......
本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移......
AdvancedPowerTechnology（APT）开发出一系列用于线性场合的大功率MOSFET。最先推出的两种为功耗570W的500V（APL501J）和IkV（APL1001J）器件......
目的 为半导体激光器合成外差干涉研制一调制驱动电源 .方法 选用现有大规模集成芯片 ,设计力求简单、实用、成本低及高性能 .结......
在高能激光研究过程中,需要快速准确对激光输出能量进行实时测量,以了解各环节对器件性能的影响,从而有针对性地做进一步的研究和......
原子吸收法中工作曲线线性范围狭窄一直是分析快速化的障碍.在线性区进行测定可以用最少的标准获得较高的精度.然而试样的含量难......
本文提出一种用ICP-AES法直接测定高含量铱中微量铑,铂,钯,金的快迅分析方法。ICP工作参数由正交实验选出,在选定的工作条件下各被......
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面......
本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究......
EDS定量微分析越来越多的被用于生物医学领域,EDS定量微分析的准确性,主要取决于是否有适合的标样,对于生物EDS定量微分析来说,标......
基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.......
赵忠贤近三十年来一直从事低温与超导研究工作,并取得了多项重要成果。1974～1975年他在英国剑桥大学进修期间,发现第Ⅱ类超导体在......
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测......
本文清理了吉林省地震前兆台网在省内中等地震，邻区中强以上地震、西太平洋地震带大震前记录到的１４次前兆异常．通过震例统计，筛选出省内......
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平......
InGaAs PIN光电探测器在空间遥感、卫星通讯等方面有着广泛的应用。利用358K恒温加速老化实验研究探测器长时间稳定工作时输出电信......
场效应迁移率是描述有机薄膜晶体管(OTFT)性能的重要参数之一,目前OTFT场效应迁移率主要根据实验测得OTFT电特性曲线通过拟合计算......
精密测量技术作为当今尖端科技的核心内容,在诸多领域内有着重要的应用价值。随着卫星导航、大地测量、航空航天和航海等技术的飞......
一、引 言 扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)是一种新的结构分析方法[1].测定EXAFS要求的实验条件较高,数据处理与分析也较复杂[2,3].......
斜率是直线的一个重要特征,在数学的学习过程中,我们经常会把某些问题通过变形或换元,化成斜率公式的结构,然后再根据斜率的几何意......
我们测量了国产常用低温热偶材料的绝对热电势率,给出了镍铬、金铁、铜和康铜从4.2到273 K的测量结果.根据材料的热电势率计算了这......
求线性目标函数在线性约束条件下的最大(小)值问题,统称为线性规划问题.使目标函数取得最大值或最小值的解叫最优解.求最优解的具......
本文利用描述函数法,导出了计算单值非线性系统极限环参教的解析方法。并利用该方法,研究了舵机带失灵区饱和非线性引起的飞机横-......
用锥权流变仪及ＤＳＣ的方法研究了５种不同分子量的酞侧基聚芳醚酮（ＰＥＫ—Ｃ）在低剪切速率区（１０－２－１０ｓ－１）的流变行为及其分子量与玻璃化转变温度（Ｔｇ）的关系．结果表明......
本文就如何提高存储密度和衍射效率问题,在采用离焦法,选择参考光和物光的光强比以及它们之间的夹角,显影配方,漂白处理等方面进行......
有机闪烁体由于衰退时间短,在快速探测这程中应用很广泛。对于闪烁脉冲波形和闪烁寺命的研究,不论在应用上还是在发光及熄灭机构......
本文给出了用于高速逻辑电路的两次硼离子注入 n 沟增强型 MOS EFT 器件的阈值电压和电流一电压特性。衬底采用 P 型(100)15Ω cm ......
测量了1.3μm InGaAsP/InP DH激光器在-40℃～+62℃温度范围内的伏安特性。发现电流-电压关系可写成I=I_(01)exp(AV)+I_(02)exp(qV/n......
用精确的和多种近似的MOSFEI电流特性公式处理同一试样上测得的输出特性的转移特性,结果表明用近似公式I_(Dsat)=Z/L/2μ_(?)C_(8x......
在MOS器件的生产工艺中,常常采用离子注入,来改变阈值电压和以此来控制器件使之为增强型或耗尽型.但同时也会产生一些影响(例如注......
本文在IBM-PC计算机上,数值模拟了线性区CMOS磁敏器件,即对垂直于器件表面磁场敏感的劈裂漏极MOSFET,并将其推广到饱和区。针对器......
本文描述了适合于象SPICE那样的通用电路模拟程序的GaAs MESFET精确的非线性模型。为了提高通用性,SPICE之类的程序要求以尽可能少......
本文给出一种新型四象限模拟乘法器(4-QAM)的实现电路。该乘法器利用一只耗尽型场效型管(D-FET)的线性区伏安特性,实现两信号的相......
