浮体效应相关论文
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说......
王占国半导体材料物理学家。中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室主任，研究员，博士生导师。半绝缘Ⅲ－Ⅴ旅材料国际顾问委......
研究了一种采用非对称结构和注 Ge的部分耗尽 0 .8μm SOI n MOSFET的浮体效应 ,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约 1V,......
为了克服传统 SOI器件的浮体效应和自热效应 ,采用创新的工艺方法将低剂量局域 SIMOX工艺及传统的CMOS工艺结合 ,实现了 DSOI结构......
据《科技开发动态》2004年第2期报导,该发明为沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺,属于微电子器件制造技术范围。该工艺和......
提出一种图形化 SOI L DMOSFET结构 ,埋氧层在器件沟道下方是断开的 ,只存在于源区和漏区 .数值模拟结果表明 ,相对于无体连接的 S......
在用体接触结构设计的SOI电路中,浮体效应被压制了,但是体串联电阻的存在仍旧在远离体接触的体区产生局部浮体效应。对于数字电路......
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PDSOInMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响 .在10 6rad(Si)总剂量辐照下 ,所有器件的亚......
利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.......
在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性......
本文研究了在不同氧剂量下,由氧注入绝缘体上在(SOI)衬底制得的CMOS器件的特性。结果表明,当氧剂量由2.25×10~(18)cm~(-2)减少到1......
由于SOI器件较小的灵敏体积,使得它的抗SEE能力明显好于体硅(Bulk)器件;衬底与顶层器件的绝缘,不但彻底消除了单粒子闩锁效应(SEL)......
本文对SiGe源结构的SOI器件中的浮体效应进行了模拟,并且与普通的SOI器件进行了比较.发现源区采用SiGe材料后,输出曲线上的翘曲现......
SOI(SiliconOnInsulator)器件由于减小了寄生电容和具有良好的驱动能力，被认为是一种很有希望的器件。然而由于低热导率埋氧层(比硅......
SOI技术是最有希望的CMOS技术之一，而作为SOI技术分支的部分耗尽SOI技术则是当前工业界的主要SOI技术，本论文从器件物理和工艺方面对......
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)技术实现器件全介质隔离，彻底消除体硅CMOS寄生闩锁效应，具有功耗低、速度快、集成度高等显著......
针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分......
对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus......
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和......
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研......
研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反......
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。......
期刊
提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应.形成多晶硅栅之前在源区进行......
随着器件尺寸的不断减小，PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大。研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象，分析了此类器件......
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本文根据所建浮体效应的物理模型，研究了器件参数对ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ浮体效应影响关系。研究结果表明，降低源漏掺杂浓度，减小体区少子寿命，采用优化的......
本文提出了一个短沟道、包含寄生双极晶体管效应的物理解析模型来分析薄膜ＳＯＩｎＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型通过研究各种寄生电流成分......
针对SOI器件中的态浮体效应进行了一系列的数值模拟，通过改变器件参数，比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应，同时也研究和分析了瞬......
研究了一种采用非结构和注Ge的部分耗尽0．8μmSOInMOSFET的浮体效应，实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V，减轻反常亚阈值......
提出了一种新型的Schottky体接触结构，能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应，这种结构可以通过在源区形成一个浅的n^+-p结和二......
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs，并研究了浮体效应对辐照性能的影响，在10^6rad(Si)总剂量辐照下，所有器件的亚阈特......
提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ强反型上的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位肛春对其他器件......
SOI工艺因其独特的器件特性而被物联网时代所追捧。相对精准的器件模型显得愈加重要。这是在SOI器件特性和模型理论的基础上,采用P......
SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它......
在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体......
提出一种图形化SOI LDMOSFET结构，埋氧层在器件沟道下方是断开的，只存在于源区和漏区．数值模拟结果表明，相对于无体连接的SOI器件，此结......
对SOI技术的发展情况进行了概述。在此基础上,提出了新形势下SOI技术的发展思路。为了充分发挥SOI技术的优势,主要的思路是对影响......
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电......
介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触......
文章描述了PD SOI器件的体接触失效过程,介绍了一种PD SOI器件一级近似体接触电阻计算方法;提出了一种实用的体接触电阻及其版图寄......
提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ强反型电流下的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位及其对其他器......
提出了一种部分耗尽SOI MOSFET体接触结构,该方法利用局部SIMOX技术在晶体管的源、漏下方形成薄氧化层,采用源漏浅结扩散,形成体接......
提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结......
期刊
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理。采用体源连接环形栅器件结构,有......
以0.13μm部分耗尽薄膜SOI器件为研究对象,简要分析了体接触器件和浮体器件基本特性,指出两类器件击穿特性的差异性,并重点讨论了......
本文提出了一种在沟道下方埋氧层中开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET新结构.工艺和性能分析表明,它可抑制SOI结构的浮体效应和自加热......
