灵敏放大器相关论文
随着集成电路技术的不断进步,静态随机存取存储器（Static Random Access Memory,SRAM）在片上系统（System on Chip,So C）中的作用越来越......
在半导体工艺不断逼近物理极限的背景下,各种新型存储器技术推动着集成电路的创新发展。基于自旋转移矩的磁性随机存储器（Spin Tran......
近代以来,随着我国航空事业的不断发展,航天技术日益成熟。当电子设备工作在宇宙空间区域时,就有可能发生辐射效应而导致飞行器功......
静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）是片上系统（So C）的重要组成部分,被大量应用于手持电子设备、传感器和医疗器械等......
灵敏放大器（Sense Amplifier,SA）是SRAM（Static Random Access Memory）读取过程中的关键模块,它决定了SRAM读取过程的时间、功耗和准确......
学位
DRAM由于单元尺寸小、容量大、耐久度高等优点,被广泛应用于移动设备、服务器、PC等领域。其市场规模超过600亿美金,占全球集成电......
动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory,DRAM）是存储器产业的重要组成部分。灵敏放大器（Sense Amplifier,SA）作为DRAM的关键电......
本文给出了基于嵌入式同步SRAM编译器的核心存储单元的设计.所设计的两种核心单元分别为512-b(64×8位)和4k-b(256×16位).设计中......
邻近通信(Proximity Communication)是一种国际上正在探索的新的芯片连接技术,无需现在常用的PCB板、导线、针脚等接口,利用电容耦......
提出了一种适用于闪存的高速灵敏放大器。该灵敏放大器删除了位线嵌位电路,直接使用1.2 V电源供电的预充电路预充选定单元的位线到......
随着社会的不断发展,人们对通信的要求也越来越高,信息交换的数量之大和速度之快达到了前所未有的程度.IEEE802.3ae标准在2002年6......
半导体存储器是众多芯片家族之中的重要一支。现在数字设计的硅片中,近80%面积用于存储芯片。在今天高性能微处理器中一半以上的晶......
伴随着物理、材料学、工程设计技术等方面的高速发展以及相互交融,人们通过跨学科的合作,使得集成电路中的最小尺寸不断打破原有工......
存储器作为集成电路中的重要组成部分,一直是电路设计者研究的重要对象。而随着集成电路的发展以及各种各样的新型技术的不断完善,......
和Flash存储器相比,RRAM(阻变存储器)作为一种新型非挥发性存储器具有运行速度快,耐久度高,工作电压低且易于集成等特点,被认为极......
随着人类航天航空事业以及集成电路的飞速发展,高速低功耗的抗辐射加固电子器件越发显得重要。基于灵敏放大器的触发器(Sense-Ampl......
随着科技的进步,人们对人工智能、大数据、云计算和物联网等新兴学科的关注度越来越高。这些学科的发展都是通过对于大量目标数据......
本文在65nm工艺下,对32×36寄存器文件的读出阵列模式下灵敏放大器读出和直接读出方式进行优化设计.根据32×36寄存器文件的阵列划......
速度、功耗和面积是存储器设计的三个最基本也是最关键的性能指标。通常,高的存取速度是通过折衷功耗和面积来实现的。论文提出了......
随着微电子技术的飞速发展，毫无疑问，21世纪将是信息的世纪。而半导体存储器却是微电子技术的基础。在半导体存储器这一大家庭中，静态......
存储器是现代数字系统的基本组成部分，而SRAM作为最基本、也是最重要的易失性存储器，广泛地应用于几乎所有的计算机系统中。近年来，由......
Flash是一种广泛应用于SoC上的重要存储器,在高密度数据的存储和嵌入式系统中的应用不断增加。随着工艺的进步,晶体管特征尺寸降低......
该文分析了EmbeddedSRAM和CAM不能作为SoC中大容量存储器的原因以及独立DRAM中的特殊结构和所用到的特殊工艺,并在此基础上介绍了E......
片上系统(SOC，System on Chip)是一种基于IP(Intellectual Property)复用的芯片设计技术，通常包括逻辑核、嵌入式存储器核、模拟核。......
非挥发性铁电存储器(FRAM),由于其低工作电压、低功耗、快的读写速度、重复读弓次数多、保存信息长、抗辐照等优点,被认为是未来最......
铁电场效应晶体管(FE-FET)作为存储器件应用，具有非挥发性保存数据和非破坏性读出数据以及集成度高、速度快、功耗低等特点，但目前的......
随着微电子技术的不断发展,存储器呈现出高集成度、快速、低功耗的发展趋势。静态随机读写存储器(SRAM)作为存储器大家庭中的一员,......
快闪(Flash)存储器因为其具有的读写速度快、集成度高、可靠性高、能耗低等优点，在存储器体系中具有越来越重要的地位，并被广泛应用......
SRAM存储器是片上系统(SOC)中非常重要的一部分，主要用来实现cache结构，它占据了芯片绝大部分的面积，直接影响着系统的性能，对SRAM及其......
过去十年中,CMOS技术成为半导体集成电路中的主流制造技术,因此CMOS也成为半导体存储器设计的主要工艺选择.许多特殊CMOS存储电路......
随着集成电路制造技术的发展，芯片的速度和集成度不断提高，功耗问题已经成为芯片设计的关键因素之一，因此必须在芯片设计时特别考虑功......
集成电路技术自上世纪40年代以来发展迅速，极大地改善了人们的生活。摩尔定律指出，随着工艺水平的进步，单片集成电路上可以集成的晶体......
移动互联网、物联网等应用技术的快速发展，对SoC系统的性能和功耗提出了越来越严格的要求。嵌入式SRAM是SoC处理器的关键模块之一，为......
学位
信息科技的飞速发展对信息传输里的信息安全提出越来越高的要求。存储器是信息科技中数据存储、信息交换的主要载体，也因此成为了半......
设计了一个地址有效时间为５ｎｓ的３２ｋｂ（２ｋ×１６位）ＣＭＯＳ静态随机存储器。设计中采用优化的阵列结构、分段字线译码，以达到１．７５ｍＷ／ＭＨｚ的低功耗；采用位线平衡技术、高速......
设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、......
针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方......
随着微电子技术节点不断向前推进,非挥发性存储器(NVM)的容量迅速增大,对读取速度的要求也日益提高。通常,在大规模快闪存储器中采......
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模......
本文介绍了一种利用 0 6 μm单硅双铝双阱CMOS工艺实现的 4Kbit掩膜ROM专用集成电路设计 (A SIC) .ROM单元应用串行结构 ,整个芯......
期刊
提出一种新型高速低工作电压的嵌入式flash灵敏放大器,该灵敏放大器由一个新型的位线稳压器和一个折叠共射-共基放大电路组成.基于......
本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K&#......
可重构静态存储器(SRAM)模块是场可编程门阵列(FPGA)的重要组成部分,它必须尽量满足用户不同的需要,所以要有良好的可重构性能。本......
