剂量辐照相关论文
柔性石墨密封材料是一种纯石墨制品,没有任何粘着剂或粘结材料,它具有耐腐蚀、耐高温,耐低温、耐高剂量辐照、导热、导电、摩擦系......
1 国外冶金新材料发展趋势1.1 冶金材料性能超级化采用高新技术,最大限度发挥冶金材料的极限性能,发展超级钢铁材料,如超级高强韧......
[目的]研究紫色甘薯块根适宜的60Co-γ射线辐射剂量。[方法]以徐紫L-7和越南紫两个紫色甘薯品种块根为材料,用不同剂量60Co-γ射线......
本文利用60Co-γ射线对加拿大进口转基因大豆进行了200Gy4、00Gy6、00Gy和1000Gy的辐照处理,研究了不同剂量对进境转基因大豆品质......
由CO2离化团束辐照Si表面形成的氧化层的厚度与CO2团束大小及团束能量相关,而其成分接近SiO2在低辐照剂量下,氧化层增厚服从反应规律......
用薄膜SIMOX(SeparationbyIMplantationofOXygen)、厚膜BESOI(ffendingandEtch-backSiliconOnInsulator)和体硅材料制备了CMOS倒相器电路,并用60Coγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下,经不同剂量辐照后,分别测量了PMOS、NMOS的亚阈......
研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关......
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下,P沟和N沟MOSFET的漏电流变化特性。结果表明,PMOSFET的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的......
对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co-γ辐照和退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中F的引入,能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂......
通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道CMOS/SIMOX器件的抗辐照特性,重点分析了H2-O2合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧......
建立了一套进行MOS结构Si/SiO2界面态电荷泵测量的测试系统,其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次/秒.分析研究了泵电流与......
X光多层膜反射镜是软X光光学尤其是X光激光研究的重要元件。随着X光激光的发展,X光多层膜反射镜的应用日益广泛,但产生X光激光的等......
对含N薄栅MOS电容进行了60Coγ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中N的引入,能明显抑制辐射感生Si/SiO2界面态的产生,减少初始固定正电荷......
以金刚石膜作为绝缘埋层, 利用金刚石膜上的薄层硅( S O D)技术, 制作 54 H C T03 C M O S/ S O D 结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. ......
通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加......
本文主要探讨芳香胺类添加剂对聚乙烯的辐射以及辐射后热氧化的稳定作用.实验结果表明,多数芳香胺化合物都具有少许抑制辐射交联的......
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PDSOInMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响 .在10 6rad(Si)总剂量辐照下 ,所有器件的亚......
对电磁辐射与玻璃固体的作用过程进行研究,有助于新品种玻璃的研制和扩大玻璃的应用范围。随着核技术的发展,~(60)Co γ—辐照玻......
应用前文提出的理论,处理了聚二甲基硅氧烷与乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)体系的凝胶数据。定量的计算结果表明,EGDMA对聚二甲基硅......
为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试......
研制了一种用于射频领域的叉指栅PDSOI LDMOS晶体管,并分析了总剂量辐照对其静态和小信号射频特性的影响.其静态工作模式下的辐照......
通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏......
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化......
阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了......
对陕西黄土的多矿物细粒样品进行了红外释光(IRSL)预热条件的确定。通过对在不同的预热时间及不同的预热温度下,(N+β)/N的比值以及ED值的......
聚四氟乙烯(PTFE)是一种高度结晶的聚合物,熔融温度约330℃,拥有独特的性能。PTFE具有化学惰性,所以耐化学品和耐热性能极好,最高......
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和......
为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和......
本文深入研究了130nm Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的窄沟道n型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor(MOSFET)......
朝鲜研究者最近报道 ,他们对大麦进行γ -射线辐照处理 ,观察其品质变化及储藏稳定性。受试大麦分成几个试验组 ,辐照剂量分别为 1......
介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并......
针对储粮害虫的磷化氢抗性问题,采用电子加速器对磷化氢抗性品系和敏感品系赤拟谷盗成虫进行辐照处理,研究了0-1000Gy的电子束辐照......
目的 探讨极低频电磁场对小鼠血清趋化因子水平的影响.方法 将130只健康4~6周龄SPF级雄性BALB/c小鼠随机分为5组,分别为空白(第0天)......
经检测,对钴-60辐照,病人血清中HBsAg、pHSA-R与HBV-DNA抗力较其中HBV-DNAp、HBeAg及纯化HBsAg者为强.HBV颗粒经17.90kGy剂量辐照后在电镜下仅见碎片.对所试含氯消毒剂、碘酊、高锰酸钾、盐......
文章对我国主要储粮害虫锯谷盗、米象、谷蠹、赤拟谷盗等的辐照感应性及致死剂量进行了研究.试验表明.各种储粮害虫对辐照的感应性有......
1992—1993年用~(60)Co—γ射线3,3.5,4,5,7,15,30和60Krad剂量辐照印度谷螟老龄幼虫,1—2日龄、3—4日龄、5—7日龄蛹,1—3日龄成......
本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随~(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后......
用不育剂量辐照玉米螟会降低雄虫与自然雄虫交尾竞争能力,为提高辐照雄虫的竞争力,本文阐述了用部分不育剂量研究了射线对后代的......
用60~(Co)γ射线25—400krad的不同剂量辐照甘著黑斑病菌及带病甘薯(Ipomoeabatatas Lam.)薯块,发现200及400krad剂量的辐照对菌丝......
小菜蛾正常雄蛾一生最多交尾30次,平均16次。亚不育剂量3.5万伦琴辐照的雄蛾一生最多交尾14次,平均7.2次;正常雌蛾一生最多交尾8次......
利用核辐射带电粒子如质子、电子或不带电粒子如X射线、γ射线、中子,在一定辐照剂量范围内处理害虫,均能导致不育,或者发生遗传......