理想因子相关论文
短波长的深紫外光源（200-300 nm）在水和空气净化、医疗杀菌、非视距通信、高密度光存储等领域都有广阔的应用前景。尤其在新冠肺炎（CO......
二氧化钒（vanadium dioxide,VO2）是关联电子氧化物的典型代表之一,在340K附近发生可逆的金属—绝缘体转变（Metal—insulator transiti......
在Si基CMOS技术中,芯片中集成度的提高取决于晶体管的尺寸等比例缩小,但随之带来的短沟道效应的加剧使得传统的Si材料逐渐接近其物......
太阳能作为可再生、清洁能源在解决能源危机和环境污染等问题方面具有重大潜力。近年来,液体分频太阳能聚光光伏光热（CPV/T）技术由于......
基于发光二极管(LED)参数的非接触检测的方法研究,测试研究了封装过程中LED的理想因子。探讨了影响LED理想因子的因素,测试了光致......
针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机......
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法.利......
利用CVD蒸汽俘获法,在p+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌.测试发现样品的Ⅰ-Ⅴ曲线符......
采用p-InP/n-InGaAs/n-InP外延异质结材料,制备了InGaAs线列台面探测器,并测试了器件的I-V曲线、响应率和噪声。通过拟合I-V曲线得......
用MOCVD生长的未掺杂的n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器。器件在5.3V偏压时暗电流为1nA,在315nm波长处有陡峭的截止边,在1V......
暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特......
利用有限差分法求解半导体器件基本方程的方法,通过改变栅线电极和衬底掺杂浓度,研究了织构结构和非对称电极对晶硅电池暗I～V特性的......
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流,IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻R......
期刊
研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性.将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-xGex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-xGex。俄歇电子谱(AES)......
高压电子加速器中常利用串联二极管来承受高电压,然而串联二极管的可靠性却难以保证。通过老化试验的方法,测量电子加速器中的串联......
势垒高度Φ和理想因子n是混合肖特基/PIN(MPS)二极管正向输运下的重要参数,而软度因子是MPS反向恢复能力的衡量指标之一。对6H-SiC......
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管.测量了器件的电流-电压特性,并分析了器件偏离理想情况的原因.......
制备了高Al组分AlxGa1-xN肖特基二极管（x≥0.4）,并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化。计算了退火前后该器件的理想因子、势......
利用化学汽相沉积，在没有催化剂的p-si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p-Si异质结．电流-电压性能测试显示该结构具有较好的......
提出了用理想因子n作为表征，对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象，进行了3组不同温、湿度恒定应力......
提出了用理想因子n评价大功率LED可靠性的新方法。通过对大功率LED I-V曲线的拟合计算出理想因子n的数值，对大功率LED进行电流加速......
采用射频磁控溅射法在n-Si（100）衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱（AES）测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂......
采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参......
提出SiC表面氢化模型.以氢饱和SiC表面悬挂键,减少界面态.从而制备理想的金属/半导体接触,并将此模型用于SiC器件表面处理,其优点......
研究了4H—SiC低缺陷密度外延层的制造和Ni／SiC肖特基势垒二极管的正、反向电学特性。采用了偏8°4H—SiC衬底上台阶控制外延方......
利用ORCAD计算机辅助电路分析软件分别对窄条和宽条激光二极管（LD）的理想因子进行仿真.仿真和实验结果均表明,侧向电流扩展导致窄条L......
本文主要研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备......
研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN／GaNHEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前，采用不同的表面处理方法进行实验，发现通过表面......
研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触的基本原理及载流子的高温输运特性。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,在27～250℃进行实验......
研究了激光器阵列的电导数表征方法,建立了激光器阵列的等效电路模型,导出了理想情况下阵列的电导数公式.理论、PSPICE仿真和实验......
研究了SiC表面氢化降低界面态密度的机理.采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法,降低SiC表面态密度.该方法用......
由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制......
采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的SiO2做场板介质,B^＋离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试结......
该文提出6H-SiC((0001?))/SiO2间过渡层的概念和过渡层结构,通过分析过渡层与HF溶液的反应机理,建立湿化学处理中的SiC表面氢化模......
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利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表......
用p型有机半导体材料酞菁铜作为阴极缓冲层制作了器件结构为氧化铟锡/酞菁锌/碳六十/酞菁铜/铝的有机小分子太阳能电池,对器件进行......
运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性......
文中主要研究如何用O E概念格作为因子分析中的理想因子,从而产生形式背景上基于O E概念格的理想因子分解,获得理想因子概念. 定义......
在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素。金属/半导体间的界面层使得肖特基......
采用电子束蒸发法在4H-SiC表面制备了Ti/Au肖特基电极,研究了退火温度对Au/Ti/4H-SiC肖特基接触电学特性的影响。对比分析了不同退......
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LED Ⅰ-Ⅴ曲线与其外延膜结晶性能相比较，发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线（1......
采用自主外延的4 H-SiC外延片,利用PECVD生长的Si O2做场板介质,B+离子注入边缘终端技术,制造了Ti/4 H-SiC肖特基势垒二极管.测试......
近些年来,越来越多的发光二极管采用铟锡氧化物(ITO)作为电流扩展层,但是如果不对其进行任何处理,得到的发光二极管的电学特性很差......
期刊
对不同温度(120~363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I-V......
