隧穿相关论文
破坏大块材料的平移或旋转对称性的缺陷,在研究凝聚态系统的性质时起着很重要的作用。它可以帮助我们更好的理解大块材料的基态和......
对形成单电子器件的典型串联双遂道结结构模型，通过求解含时薛定谔方程，计算了其隧穿电汉与偏压的关系。给出了PbS量子点自组装体系......
制备了系列材料Eu2 :BaFCl,测量了其光激励发光衰减曲线。基于隧穿模型,建立了描述隧穿过程的数学模型,得出了光激励发光衰减规律,......
为改进可编程式静电场效应晶体管,设计一款具有方筒型栅和控浮栅的新型器件.设计通过方筒型栅的环栅结构产生带带隧穿大电流作为正......
期刊
燃烧是非常复杂的物理化学过程,既要在微观上了知核、电子的运动规律,也要在宏观上了知热、密度、温度等演化行为。目前,直接......
会议
引入复折射率的概念,利用特征矩阵法研究了材料的吸收对光子晶体全反射隧穿效应的影响。通过数值计算研究了光子晶体的全反射隧穿......
利用色散法研究了在入射角大于全反射角时弹性波在一维半无限周期声子晶体中的传输特性。结果发现当弹性波大于全反射角入射一维半......
由电单负材料A和磁单负材料B构成了一维对称型光子晶体,数值计算表明其带隙中出现了一隧穿模.材料层数增加,隧穿模宽度急剧变窄,而......
为了研究一维有限周期含负折射率光子晶体的全反射隧穿效应,利用传输矩阵法计算了TE波和TM波在大于全反射角入射一维有限周期含负......
建立了一维无限周期声子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带频率满足的解析公式,从理论上解释了一维无限......
利用隧穿机制研究了含磁光金属Co6Ag94的三明治结构(磁光金属嵌入两个磁光光子晶体中)的透射性质和磁光法拉第旋转效应。在含磁光......
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上，采用遗传算法通过对主方程的数值求解，对Ａｕ纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合......
本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验......
本文在单电子器件半经典的双隧道结模型的基础上 ,通过对主主程的数值求解 ,对 Au纳米粒子组装体系的库仑台阶现象进行了拟合 .单......
镍基合金Alloy 690广泛应用于高温换热管道中,对其腐蚀机理的准确分析可以为设备提供有效的防腐手段。针对腐蚀表面金属氧化膜具有......
介绍在等离子工艺中的等离子充电损伤,并且利用相应的反应离子刻蚀(RIE)Al的工艺试验来研究在nMOSFET器件中的性能退化。通过分析......
研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证......
介绍了针对利用原位水汽生成工艺制作的超薄栅介质膜的电学特性研究。通过电荷泵和栅极隧穿漏电流的测试,证明了原位水汽生成工艺......
研究了栅氧厚度为1.4nmMOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化.实验结果表明,在不同直接隧穿应力过程中,......
提出了一种新颖的单电子随机数发生器(RNG).该随机数发生器由多个单电子隧穿结(MTJ)以及单电子晶体管(SET)/MOS管混合输出电路组成......
报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。......
基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特......
本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特......
基于分子线耦合到电极的构成特点,采用简化的非对称多势垒连续隧穿模型模拟复合分子器件偏压下的电子隧穿过程,推导电子透射谱的解......
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子......
本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与......
小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅M......
针对高介电常数(k)栅堆栈金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)实际结构,建立了入......
利用时域有限差分方法研究了强光场下石墨烯场效应管中栅极电势对电子隧穿的影响.在强光场下由于光学stark效应,石墨烯场效应管的......
东芝面向超低功率微控制器(MCU)开发采用新工作原理的隧穿场效应晶体管(TFET)。该工作原理已经被应用到使用CMOS平台兼容工艺的两......
在有效质量近似和绝热近似下,利用转移矩阵法研究了电子通过In As/In P/In As/In P/In As柱形量子线共振隧穿二极管的输运问题,分......
n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与......
针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机......
针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行......
通过理论计算,对比分析了不同界面层对金属与n型锗(Ge)接触的影响。结果表明,界面层有利于降低费米能级钉扎效应,使金属与n型Ge接......
利用扫描隧道显微镜(STM)中高度局域的隧穿电子可以激发吸附在其表面的分子体系并使之发射出光子。我们从理论计算的角度对这......
量子霍尔态的拓扑序不仅表现在基态的简并度上,而且会体现在相应的边缘态结构上[1,2]。对于阿贝尔的量子霍尔态,其无能隙的边......
