【摘 要】
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用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程 .在
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精
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用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运 探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱 ZnSe CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究 ,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程 .在ZnSe垒宽为 1 0nm ,1 5nm ,2 0nm时 ,测得激子隧穿时间分别为 1 8ps,4 4ps,39ps.
Room-temperature photoluminescence (PL) and femtosecond pulse pluse detection were used to study exciton tunneling in ZnSe CdSe QDs with different base widths. It was observed that excitons were rapidly transferred from QW to QDs Tunneling process.The exciton tunneling time is 18ps, 44ps, 39ps respectively when the ZnSe barrier is 10nm, 15nm and 20nm.
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