ZnO纳米线阵列／p-Si异质结的合成及其整流特性

来源 :郑州大学学报：理学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：luohai8899

【摘要】

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利用化学汽相沉积，在没有催化剂的p-si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p-Si异质结．电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性，漏电流较小，4V时约为0．05mA．异质结理想

【作者】

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程萍田永涛王文闯徐玉睿何豪王新昌李新建

【机构】

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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室

【出处】

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郑州大学学报：理学版

【发表日期】

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2011年3期

【关键词】

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ZnO阵列异质结 CVD法整流理想因子 ZnO nanowire arrays heterojunction CVD method recti

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目,编号50602040,10574112,河南省重大科技攻关项目,编号082101510007,教育部科学技术重点研究项目,编号208048,河南省教育厅自然科学基金资助项目,编号2007140018.

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利用化学汽相沉积，在没有催化剂的p-si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p-Si异质结．电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性，漏电流较小，4V时约为0．05mA．异质结理想因子偏高，1．86（0．5-2．25V）和5．92（在2．25-2．7V），主要原因可能ZnO纳米线阵列底与si之间存在较高的缺陷密度．提供了一种简单的合成ZnO阵列／p-Si异质结方法，不需要在si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂，同时结构具有较好整流性能，对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值．

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