采用射频磁控溅射法在n-Si（100）衬底上沉积Si1-xGex薄膜,俄歇电子谱（AES）测定Si1-xGex薄膜的Ge含量约为17%。对薄膜进行高温磷扩散掺杂......

用离子束溅射技术分别在SiO2和单晶Si衬底上沉积了Si1-xGex和Co薄膜。在不同温度下,对Co/Si1-xGex肖特基结进行快速热退火处理（RTA）,......