【摘 要】
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SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战，阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极为重要。围绕偏压与温度应力下SiC MOSFET阈值电压测试的问题，分析SiC MOSFET阈值电压漂移特性的影响因素，介绍国外偏压温度不稳定性评估标准的现状，对标准中所有测试方法均进行详细分析，分类归纳总结现有测试方法，分析各类测试方法的优缺点。
【基金项目】
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国家重点研发计划项目“新一代碳化硅电力电子器件共性技术标准研究”，项目编号：2020YFF08504；
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SiC MOSFET阈值电压漂移问题是器件可靠性面临的主要挑战，阈值电压测量的准确性对于评估器件在偏压与温度应力下的阈值电压稳定性极为重要。围绕偏压与温度应力下SiC MOSFET阈值电压测试的问题，分析SiC MOSFET阈值电压漂移特性的影响因素，介绍国外偏压温度不稳定性评估标准的现状，对标准中所有测试方法均进行详细分析，分类归纳总结现有测试方法，分析各类测试方法的优缺点。
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