薄膜晶体管(TFT)相关论文
本文研究的目的：基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响，会出现阈值电压为负值，......
由于高介电常数(h-k)非晶介质氧化物薄膜能够满足未来高分辨率以及低功耗的显 示需求,我们采用溶胶凝胶法制备不同铪铝比(Hf/Al)的......
通过使用射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜,然后将制备的薄膜放入不同温度下进行退火,再制备成AZTO薄膜晶体......
近年来,随着高密度、低能耗的电子器件迅速发展,对薄膜晶体管(TFT)器件的电极结构设计提出了更高的要求.其中,圆形电极结构不仅可......
采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌（a-IZBO）为沟道层的薄膜晶体管（TFTs）.相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示......
随着信息显示技术的发展,当前主流的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)技术越来越无法满足高端液晶显示面板的高分辨率、窄边框、低功耗......
在传统集成栅驱动电路中采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)后会造成信赖性的降低,经过分析确定原因为驱动TFT阈值电压漂移。......
以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带半导体材料及其器件在紫外光电探测、功率和抗辐射的微电子器件领域有巨大的优势......
分别采用水热法和微乳法制得了两种直径为10～40nm和60-70nm的棒状纳米ZnO材料；然后将制得的纳米材料乙醇溶液旋涂到石英基片上，将其中......
有源TFT-LCD与有源OLED平板显示技术的快速发展,对周边驱动技术提出了越来越高的要求。目前国内小尺寸液晶显示模块主要以中低档的......
本文综合论述、分析和讨论了平板检测器 ( FPD) 主要组成部分和整体检测器工作机理、优良特性和现有水平. 将用于数字化 X射线摄影......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本文介绍了薄膜晶体管的结构及工作原理,并概述了几种常见的制备氧化物材料工艺方法,其中对溶液方法制备铟镓锌氧有源层进行了详细......
湿法制备金属氧化物薄膜及晶体管器件具有工艺简单、化学组分易于调控、成本低、适应大规模生产等优点,在平板显示有源驱动电路中......
学位
以薄膜晶体管（TFT）为核心的有源驱动技术正成为高品质平板显示的关键技术,具有极大的市场应用前景。目前,TFT主流技术是非晶硅（a-Si）TF......
随着超大规模集成电路的发展,MOSFET器件的特征尺寸不断缩小,传统栅介质SiO2薄膜由于它较低的介电常数（～3.9）已经达到了它的物理极限......
21世纪以来,氧化物薄膜晶体管的研究和应用取得了很大的进展。其中n-TFT由于迁移率较高,在可见光区光透过率较高和可低温制备等优......
随着半导体技术的发展,器件日益小型化,pMOS器件的负温度不稳定效应NBTI(Negative Bias Temperature Instability)加剧,成为影响器......
近年来，氧化物薄膜晶体管(TFTs)由其在有源矩阵发光二极管(AMOLED)显示中的潜在应用而受到了广泛的关注。传统的非晶硅TFTs由于迁移......
本论文的主要实验内容是在ITO玻璃衬底上利用等离子增强金属有机化学气相淀积-Ⅱ系统制备氧化镁薄膜材料及氧化锌半导体薄膜材料。......
通过在乙二醇甲醚中溶解二水合乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H 2O)和二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)制备了锌锡氧化物(ZnSnO)前驱体......
薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)......
