随着信息显示技术的发展,当前主流的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)技术越来越无法满足高端液晶显示面板的高分辨率、窄边框、低功耗等产品规格要求。由于氧化物半导体具有迁移率高、均一性好、透过率高、制作工艺简单等技术优势,特别适合取代a-Si而成为TFT的沟道材料。本文尝试采用非晶InGaZnO薄膜晶体管(a-IGZO TFT)实现集成栅极驱动电路(Gate In Array,GIA)。实验发现针对a-IGZO TFT的温度正偏压及负偏压测试都会不同程度导致其阈值电压漂移,进而导致产品信赖性的降低。通过对传统GIA电路的仿真分析我们确定上述现象发生的主要原因为驱动TFT阈值电压漂移。本文提出了一种改进的集成栅驱动电路,在传统GIA电路的基础上增加了T8、T9,减少了C2,并改变了T4、T5的连接方式和T4、T5、T6的器件尺寸,同时不改变其他TFT器件的尺寸和驱动时序。通过仿真分析证明,驱动TFT栅节点电压的得到了更为稳定的控制,获取了较大的驱动TFT阈值电压漂移冗余度(从原先的不到+/-3V增大到+/-9V),从而改善了a-IGZO TFT阈值电压漂移所造成的电路失效,稳定了集成栅驱动电路,并延长了液晶显示器面板的使用寿命。最后基于a-IGZO TFT的新型GIA电路的版图进行了优化设计。