以薄膜晶体管（TFT）为核心的有源驱动技术正成为高品质平板显示的关键技术,具有极大的市场应用前景。目前,TFT主流技术是非晶硅（a-Si）TFT。多晶硅（p-Si）材料与非晶硅材料相比较具有迁移率高、易于掺杂、适用于周边驱动电路集成等特点,已成为TFT器件材料新的研究方向。由于玻璃及柔性衬底要求TFT工艺在低温下完成,因此,低成本、低温工艺制备器件性能的多晶硅薄膜材料更成为人们关注的热点。本论文主要对催化化学气相沉积（Cat-CVD）法低温制备多晶硅薄膜的工艺技术及所得材料性能进行了研究。首先,阐述了多晶硅材料的结构和电学特征,并简要讨论了多晶硅的导电机理。其次,对Cat-CVD工艺制备多晶硅薄膜的动力学过程作了较为详细的讨论。在上述理论的基础上结合前人研究的成果,完成了低压化学气相沉积（LPCVD）设备的Cat-CVD改造。重点研究了稀释率H₂/（SiH₄+H₂）和压强对Cat-CVD多晶硅薄膜性能的影响,并对薄膜材料结构特征进行了XRD、Raman、SEM等测试和表征。对于稀释率的研究结果表明:在高稀释率（0.90～0.95）情况下,材料的结晶度随稀释率的增加而增加,高浓氢基团通过表面和深层脱氢促进结晶的作用。对于压强的试验结果说明:薄膜生长速率于压强成正比,高压下（～30Pa）薄膜快速生长,淀积基团来不及完全进行脱氢和结构排列,降低压强（3～5Pa）,有利于薄膜质量的改善。在衬底温度为250℃左右器件性能的多晶硅薄膜材料稀释率和压强参数分别为:0.9～0.95,3～5Pa。最后,设计了以Cat-CVD为主体工艺的像素驱动OELD的双TFT和存储电容的结构和工艺流程。该流程栅绝缘和有源层连续生长,需要五次光刻,简单可靠。