【摘 要】
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通过使用射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜,然后将制备的薄膜放入不同温度下进行退火,再制备成AZTO薄膜晶体管(TFT)器件,研究不同退火温度对AZTO薄膜晶
【基金项目】
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吉林省科技厅中央引导地方科技发展研究项目(202002012JC),吉林省科技发展计划项目(20200201177JC).
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通过使用射频磁控溅射技术在硅衬底上沉积铝锌锡氧化物(AZTO)薄膜,然后将制备的薄膜放入不同温度下进行退火,再制备成AZTO薄膜晶体管(TFT)器件,研究不同退火温度对AZTO薄膜晶体管器件性能的影响.实验结果表明,随着退火温度的升高,AZTO-TFT器件的载流子迁移率和电流开关比随之增大,在600℃的温度条件下退火的器件性能最佳,其迁移率为10 cm^2/(V·s),阈值电压为13 V,电流开关比为6.29×10^6.
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