基于阈值电压的P-Si TFT模型研究进展

来源 :中国电子学会第十四届青年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:future_007_007_007
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基于阈值电压的P-Si TFT分区模型是目前主要的P-Si TFT模型。本文首先对目前基于阈值电压的p-Si TFT模型研究现状进行了分析,在此基础上重点介绍了三种典型的已用于电路仿真器中的SPICE模型:RPI模型、S-TFT模型与I. Pappas模型,对当前的建模工作进行了总结与展望。
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