【摘 要】
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采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si+减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si+的BOX层中形成了硅纳米晶体团簇，其作为深电子陷阱大幅减小了辐射诱生氧化物陷阱电荷的累积。Si+注入并退火能够提高全耗尽SIMOX材料的抗总剂量效应能力.
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 中国科学院研究生院 北京100039
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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采用Si+注入到埋氧化层中并退火制备了总剂量加固的全耗尽SIMOX材料，对得到的样品在辐照前后的pseudo-MOSFET特性曲线进行了研究。结果表明注Si+减小了辐照时NMOSFET阈值电压的漂移。截面高分辨TEM分析表明注Si+的BOX层中形成了硅纳米晶体团簇，其作为深电子陷阱大幅减小了辐射诱生氧化物陷阱电荷的累积。Si+注入并退火能够提高全耗尽SIMOX材料的抗总剂量效应能力.
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