【摘 要】
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本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时，分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因，并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所 新疆 乌鲁木齐830011 中国科学院研究生院 北京100049 中
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细探讨了不同模块随总剂量、退火时间的变化关系。同时，分析了功耗电流在不同退火温度下恢复的原因，并讨论了不同退火温度下功耗电流恢复幅度的差异.最后，测量了输出端口的高低电平，分析高低电平随总剂量、退火时间的变化关系.
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