总剂量辐射相关论文
基于0.6μm高低压兼容CMOS工艺,设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC)。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅......
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐......
会议
本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用......
本文介绍了一种星用抗辐射加固电源调制器,主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃-125......
本文总结了MOS管在版图结构设计方面可以采取的抗总剂量辐射加固措施,探讨了这些措施的作用机理及优缺点.基于这些,本文提出了一种......
会议
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
本工作采用先进的全离子注入低温工艺,研制成八个高水平4000系列小规模CMOS/SOS集成电路品种,它们是SC_(4001)、SC_(4002)、SC_(40......
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一......
本文主要对65nm MOS器件的总剂量效应引入的寄生结构以及加固方法进行了数值模拟研究.通过使用ISE TCAD软件对器件进行二维及三维......
采用10keVX射线对工作状态下的DC-DC电源模块进行总剂量辐射;并在线监测DC-DC电源模块X射线总剂量辐射中的输入与输出端口电压......
本文论述了抗辐射VDMOS产品的研制。为提高VDMOS器件的抗γ总剂量辐射要求,在版图设计和工艺设计时考虑了降低影响器件的抗γ总剂......
通过对载流子扩散机理的研究,由数学公式的推导,得到陷阱电荷分布随电场变化的函数关系.将由medici模拟得到的3种偏置下SOI的NMOS......
采用高电场应力研究了MOS管阈值电压漂移现象,认为可以作为一种较高总剂量辐射情况下的一种评估手段之一.......
本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照......
期刊
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关.对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究.建立一......
辐射环境下,绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)技术具有抗单粒子翻转和瞬态辐射的优点,但总剂量效应更加复杂。离子注入可以提高......
绝缘体上的硅技术(Silicon-on-Insulator, SOI)在高速、低压低功耗、功率器件以及抗辐射微电子学等领域有重要的应用。全介质隔离......
工作于空间辐射环境中的半导体器件会受到高能粒子、射线的辐射,从而导致器件性能退化、甚至功能失效。因此对于应用于空间辐射环境......
随着集成电路的发展和制造工艺的进步,半导体器件特征尺寸急剧减小至超深亚微米甚至纳米尺度。尺寸缩小带来了低功耗、高速度等优点......
在空间应用中,小尺寸MOS器件面临着空间辐射环境与常规可靠性双重挑战。国内外对考虑空间辐射因素的微纳米器件可靠性研究,由于辐射......
介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的......
分析了电子元器件在空间辐射影响下的一些性能变化,设计了一种应用于星载计算机数据管理系统的抗辐射加固检错纠错电路.重点介绍了......
空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素.A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设......
对抗总剂量辐射加固中常用的两种环栅MOS管的等效宽长比进行了研究.对b字形环栅管的宽长比计算模型进行验证,发现b字形环栅结构无......
对1 Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗......
主要介绍了长线在线测试系统在60 Co源辐射场中的应用。实验中 ,解决了辐射场低能散射对小电流测量带来的影响问题。在线测量减少......
对一款商用NROM(Nitride-Read-Only-Memory)存储器进行了钴源辐射和退火试验,研究了NROM的总剂量效应和退火特性。使用了超大规模......
对不同辐照偏置条件下,总剂量辐射对高速CMOS电路54HC04时间参数的影响进行了探讨,并与相应的直流参数的响应特性进行了对比,研究......
通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照......
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷......
主要介绍了长线在线测试系统在^60Co源辐场中的应用,实验中,解决了辐射场低能散射对小电流测量带来的影响问题,在线测量减少了移位测......
对两款商用铁电存储器进行了钴源辐射试验,研究了不同偏置条件下铁电存储器的总剂量效应。使用了超大规模集成电路测试系统测试了......
介绍了一种抗辐射加固型低压差线性稳压器(LDO)的电路设计,内部集成了精密基准源、误差放大器、输出调整管和上电复位时间控制等模......
对1Mbits的静态随机存储器(SRAM)进行了总剂量辐照及退火试验,试验结果表明:静、动态功耗电流均随总剂量增加而显著增大;静态功耗电流的......
针对Xenics公司的一款In Ga As探测器,根据载荷工作环境要求,轨道高度700km,在轨工作3年的总剂量辐射为2krad(Si),技术指标要求探测......
对 InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT 在不同偏置条件下的电离总 剂量效应.使用Keysight B1500半导体参数分析仪,测试了In......
研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件......
本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照......
通过实验研究了部分耗尽SOIN MOSFET总剂量辐射效应-9辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态。......
采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs......
针对Kodak公司的商用CCD探测器KLI-2113进行了总剂量为30 krad(Si)的60Co-γ辐射试验。对比辐射前后CCD的主要参数变化,分析了总剂量......
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测......
在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的“反弹”现象。文......
对自主研发的40nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40nm工艺未做加固的FPGA电路抗......
研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压......
根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术。针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施。流片......
研究了闪存电路系统中高压电路的总剂量辐射效应(TID)。通过对内部高压电荷泵电路和高压负载电路的TID辐射效应测试研究,表明辐照后......