辐射偏置条件是影响MOSFET（Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor）总剂量辐射效应的主要因素之一，因为辐射时栅氧化层中电荷......

采用10keVX射线，对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射，分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压......

随着数字集成电路的广泛应用，MOS器件和MOS集成电路在航天辐射环境下的应用越来越广泛，辐照可靠性要求也越来越高。在辐射环境中，MOS......