【摘 要】
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我们采用电子束光刻和干法刻蚀的手段实现了纳米沟道阵列AlGaN/GaN HEMTs。普通结构器件的阈值电压在-3.65V,而沟道宽度缩小至66nm的纳米沟道阵列器件的阚值电压偏移到-1.35V,偏移量达到2.3V。通过系统性的实验研究,我们还进一步证实在纳米尺度下(～几百纳米以内)阈值电压与沟道宽度呈现明显的相关性。这意味着,可以通过调整纳米沟道阵列中沟道的宽度在同一外延片上同时制造出具有不同阈值
【机 构】
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中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215125 北京大学微电子所,北京 100871 中科
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们采用电子束光刻和干法刻蚀的手段实现了纳米沟道阵列AlGaN/GaN HEMTs。普通结构器件的阈值电压在-3.65V,而沟道宽度缩小至66nm的纳米沟道阵列器件的阚值电压偏移到-1.35V,偏移量达到2.3V。通过系统性的实验研究,我们还进一步证实在纳米尺度下(～几百纳米以内)阈值电压与沟道宽度呈现明显的相关性。这意味着,可以通过调整纳米沟道阵列中沟道的宽度在同一外延片上同时制造出具有不同阈值电压的AlGaN,GaN HEMTTs,将为单片集成设计带来极大的灵活性。另一个值得注意的实验结果是,纳米沟道阵列的引入没有对栅极泄漏电流的特性产生负面的影响,一定程度上消除了人们对该种器件实用化的部分疑虑。
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