P-GaN相关论文
考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前......
期刊
随着5G通讯及轻型紧凑类消费电子产品市场的迅速发展,氮化镓（Ga N）功率器件凭借高功率密度、高开关速度响应等优势,在半导体器件中展......
GaN基蓝光、近紫外光及深紫外光LED在照明、显示、医疗与消毒杀菌等领域有着广阔的应用与需求。在GaN基倒装和垂直结构LED中,高反......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
第三代半导体材料氮化镓(GaN)因具有击穿电场高,禁带宽度大,电子迁移率高等特点,在高温高频、高功率军用电子以及5G通讯等领域有着......
学位
GaN基蓝绿光LED在固态照明、背光、大屏幕显示、信号灯等方面得到了广泛的应用。GaN基紫外、深紫外LED在杀菌消毒、生化探测、医疗......
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this ......
在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特......
本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO 蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究，并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN......
通过优化Mg流晕增强了MoCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明卒穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着......
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着......
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子，然后在N2气氛下在850-1150℃之间快速退火，研究了Mg^＋离子注入后样品退火前后的结构、光......
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化......
ZnO∶Ga（GZO）透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良......
利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系，指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加......
用MOCVD技术生长GaN：Mg外延膜，在550～950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试．Hall测试结果表明，850℃退火......
研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降......
运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p-GaN样品进行了分析。在样品表面制作了Ni／Au电极并......
根据光学薄膜原理计算了GaN／Ti／Ag、GaN／Al和GaN／Ni／Au／Ti／Ag、GaN／Ni／Au／Al多层电极结构的反射率，得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提......
采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au(5/10nm)电极的接触界面进行Zn+、Pt+离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火(RTA)......
氧化锌(ZnO)优异的光电性能使其在短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。然而目前所制备的ZnO基发光器件仍然面临着效率低、不稳......
利用低压MOCVD系统，获得了p-GaN和p-InGaN／GaN超晶格结构2种材料，用圆形传输线模型（CTLM）测量了它们的比接触电阻率，并对表面处理、金属......
对p-GaN／Ni／Au（5／10nm）界面处进行Pt^＋注入，注入后的样品在空气中快速热退火处理5min，发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善，接......
优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、......
首次采用离子注入工艺研究金属电极和P-GaN的欧姆接触特性。Zn为Ⅱ族元素，可以提高P—GaN表面的载流子浓度，对p—GaN／Ni／Au（5／10nm）界面处......
研究了低温（LT）GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具......
铟锡氧化物（ITO）透明导电薄膜作为电流扩展层和透光层淀积在P-GaN表面用以提高GaN基发光二极管（LEDs）的光效。本论文通过电子束蒸发制......
宽禁带GaN材料由于其优良的电特性和材料特性在大功率微波和毫米波器件应用领域引起了广泛关注。本文主要关注氮化物基异质结双极......
研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传......
制备含有不同厚度Ag(0.5、2、4nm)的Ag/ITO多层膜沉积在以蓝宝石为衬底的外延片上并与P-GaN相接触,经过一定的退火处理。研究了Ag......
发光二极管（Light-Emitting-Diode）是一种固体冷光源，具有体积小、耗能少、响应速度快、抗震性好和寿命长等优点，在光电系统中得到广泛......
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN......
