金属有机化学气相沉积(MOCVD)相关论文
通过优化ZnO缓冲层（bufferlayer），有效地改善了由金属有机化学气相沉积（MOVCD）法制备的ZnO：B薄膜的光电特性。结果表明，“富氧”的缓冲层......
二维范德华材料凭借其优异的光学和电学特性,自被发现以来一直作为延续集成电路摩尔定律的重要基础电子材料而备受关注。通过机械......
利用三路脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了非极性a面AlGaN外延层.使用高分辨率X射线衍射......
利用铟(In)表面活性剂辅助Mg-δ掺杂技术和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在r面蓝宝石衬底上成功生长了高空穴浓度的非极性a面p......
介绍了一种制备ZnO薄膜的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,制备的ZnO薄膜主要用作太阳能电池的背反射电极。该设备的极限压力可达......
对976 nm激光器的三种非对称波导结构,即非对称直波导结构、非对称渐变波导结构和非对称梯形波导结构进行了基模光场和折射率分布......
目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好......
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的......
利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法在蓝宝石（1120）衬底上生长高质量的MgxZn1-xO合金薄膜，实验研究了各种不同Mg组分对样品光学性能的影......
以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于......
要氢化物气相外延（HVPE）是制备氮化镓（GaN）衬底最有希望的方法．本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途，总结了GaN体单晶及薄膜......
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器。针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等......
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采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW......
以W（CO）6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W（CO）6热解温度、W（CO）6气化温度及载......
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长650 nm谐振腔半导体发光二极管(RCLED),利用光致发光(PL)谱和电致发光(EL)谱研究了其发......
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,以Mo(CO)6,Si(OC2H5)4为物源,在Al2O3陶瓷基片上制备了金属-陶瓷功能梯度材料,并用XPS,XRD,......
研究了低温（LT）GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具......
作为第三代半导体材料的代表,GaN具有稳定的化学性质,宽禁带以及高的热导率、载流子浓度、饱和电子迁移速率等优点,被广泛应用于照......
锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩......
分析了InGaAs/InP pin光电探测器暗电流和响应度的影响因素,并对MOCVD外延工艺以及器件结构进行优化,从而提高器件响应度和降低暗......
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等。各种技术包括缓冲层、外延横向生长技......
根据白光照明和可变换波长的光通信中对单芯片双波长发光二极管(LED)要求,在分析了反向偏置隧道结性质的基础上,设计了用反向偏置......
以Ni（CO）4为前驱体，通过羰基金属化学气相沉积工艺在碳纤维表面沉积连续镍膜，从而制得镍覆膜碳纤维材料。实验给出了镍覆膜碳纤维的较......
通过W(CO)6化学气相沉积(MOCVD)工艺,在碳纤维表面沉积得到了碳化钨膜材料,研究了碳纤维表面沉积碳化钨膜的工艺条件。结果表明:在......
宽禁带氧化物透明导电薄膜具有在可见光区域透过率高、红外波段反射率高以及导电性能优良等特点,而GaN材料则具有禁带宽度大、电子......
研究了以羰基镍为沉积源 ,利用MOCVD技术沉积镍薄膜 ;讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响 ,以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来......
珠光颜料是一种用途广泛的高档颜料，有绚丽的珠光光泽和璀璨的珠光效应，主要应用于涂料、油墨、化妆品、塑料、橡胶和皮革等行业。现......
自组织InAs/GaAs量子点由于在三维方向上对载流子的限制作用使得其在量子点太阳能电池，量子点探测器，量子点激光器等新型光电器件领......
随着科技的发展,透明导电氧化物薄膜由于在发光二极管、激光器、平面显示和薄膜太阳能电池等领域的广泛应用而受到越来越多的关注......
半导体材料科学与技术作为现代高科技的核心技术,一直是推动信息时代发展的原动力。利用半导体材料制备的各种各样的半导体器件和......
近年来,GaN基器件的研究受到了越来越广泛的关注,AlGaN/GaN HEMT的研究也有了突飞猛进的进展,但是由应力产生的压电效应问题一直限......
本文主要研究了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长的GaN薄膜中穿透性位错对载流子性能的影响......
近几年来,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料由于其宽的直接带隙、高热导率和良好的化学稳定性等优点,在短波长发光器件、探测器和大功率电子器件......
GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料,在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺乏合适的衬底材料,限制了器件性能的进一步提高。因......
大功率半导体激光器在光通讯、医疗、印刷、激光制造和光泵浦等领域中有着广泛的应用前景。特别是现代战争中,大功率半导体激光器......
近年来,随着光电子产业的发展,氧化锌(ZnO)和氮化镓(GaN)作为Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的代表受到人们的广泛关注与研究。......
采用预铺Ga或NH3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底（PSS）表面,然后外延生长了GaN薄膜,研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶......
研究了反应压力对金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.X射线衍射（XRD）和扫描电子镜（SEM）的研究......
