PL谱相关论文
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......
AlN薄膜属于第三代半导体材料中非常有商业潜力的一种超宽带隙的半导体材料。它兼具多种优异的物理性能,应用领域也非常广泛。本文......
硅是固态电子学和微电子产业的重要材料。但是硅是间接禁带半导体,不可以直接发光,且存在其它非辐射复合竞争,硅的光学性能比较差,......
与传统光源相比，LED由于具有节能，环保，寿命长等优点而备受关注，成为第三代照明光源，因此提高LED各方面性能也成为当前各国半导体照明领......
利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅......
利用固源分子束外延 (MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛 .具体分析了GaAs间隔层厚度 ,生长停顿时......
利用高能离子研究了110 keV的He+注入Al2O3单晶及随后230 MeV的208pb27+辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性.从测试......
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm,折射系数约为2.455.实验中发现未经退火处理的CeO2室温......
通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧......
采用一种设备简单、原料低廉的新型方法,在镀有ZnO先驱薄膜的(0001)蓝宝石上利用水热法制备出了柱状ZnO阵列薄膜.用扫描电镜(SEM),......
研究了230 MeV的208Pb27+辐照Al2O3样品及随后在600,900,1 100 K高温条件下退火后的光致发光特性.从辐照样品的测试结果可以清楚地......
采用脉冲激光沉积法 ,生长出没有组分偏析 ,晶体质量好的 Zn1 - x Mgx O薄膜 (x=0 .2 ) .研究了衬底温度对Zn0 .8Mg0 .2 O薄膜晶体......
期刊
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而......
本文以拉曼光谱,PL光谱等表征手段研究准分子激光辐照氧化锌晶格微结构及其光谱性能的影响。当能量密度超过一定阈值时,会造成晶格......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si......
采用直流磁控反应溅射法，在3种衬底上获得c轴(002)定向生长的ZnO薄膜，并利用X射线衍射、PL谱对上述薄膜进行了实验研究。结果表明N型......
本研究制备了GaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为5×1014 cm-2和2×1O15 cm-2的辐照。通过测量辐照......
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实......
采用射频等离子体辅助分子束外延（RF plasma-assistedMBE）系统生长非故意掺杂GaN和P型GaN，并且通过室温和低温光致发光（PL）谱测试研究了......
通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层......
在硅锗合金氧化层中发现锗纳米表层结构,并分析了其时应的PL谱结构.提出相对应的量子受限模型计算公式和算法,理论分析结果与实验......
采用常压化学气相沉积法（APCVD），分别以金属镓（Ga），铟（In）和氨气（NH3）为镓源，铟源和氮源，在Si衬底上利用催化剂Au成功合成了不同形貌的InxGa1-x......
采用电感耦合等离子质谱仪（ICP-MS）和光致发光的手段研究了In在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的分布及存在状态,浓度测试结果表明，In的分凝特性......
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,复合体系的PL同时......
在室温下,将多孔硅浸泡于不同浓度荧光素钠溶液中,取出晾干后对多孔硅光致发光谱(PL)进行了研究.结果表明,PL谱强度随荧光素钠浓度......
用超高真空化学气相淀积系统在Si(100)衬底上生长了多层Ge量子点．分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子......
利用分子束外延技术(MBE)生长了一个分布很不均匀的InGaAs量子点样品.样品不同位置InGaAs的沉积量不同导致点的大小、密度分布不均......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了【101】取向的Li：ZnO薄膜，研究了该薄膜的光学性能随热处理温度变化的规律．结果表明，399nm的发......
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延......
采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,......
利用射频磁控溅射技术，在单晶硅村底上生长出高质量（0002）晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研......
测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行......
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族的宽禁带半导体氧化物材料，禁带宽度是3.37eV，室温下它有较高的激子束缚能，可达60meV。由于其优良的光电、压电、......
采用电场辅助电化学沉积的方法在阳极氧化铝模板中沉积出ZnO纳米线阵列.透射电子显微镜和X射线衍射测试结果表明，制备的纳米线是单......
首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验......
采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点.通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进......
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点.采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化......
远程荧光器件实现了芯片与荧光粉层分离,有效缓解了传统封装方法中的散热性差的问题,有良好的应用前景,是当前研究的热点。本文利......
通过对SiO2:Nd的PL谱分析,并与SiO2:La、SiO2:Ce、Si+→SiO2、C+→SiO2等的PL谱进行比较,总结出薄膜光致发光的一些特性.......
本文以极端条件（大剂量中子辐照）处理的单晶材料为研究对象，测试分析极端条件下单晶材料的表面形貌、电学特性以及光学性质的变化，为研......
近几年,人们对纳米材料的合成兴趣越来越大。其中,半导体就是最有吸引力的功能纳米器件材料之一。合成半导体纳米结构的多种技术已......
近年来，纳米材料的制备与表征研究引起人们极大的兴趣，特别是半导体纳米功能器件材料的研究。目前已经有关于半导体纳米结构合成的许......
由于半导体纳米线特殊的结构特征和独特的物理、化学性质,IV族和III-V族材料制成的纳米线在化学传感器、锂电池、热电转换器件、光......
用金属有机气相沉积（MOCVD）方法在c-Al2O3衬底上生长了InGaN三元合金薄膜,重点研究了其光致发光光谱,通过改变光谱仪的接收位置,观察......
采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表......
采用近空间升华法在 GaAs （100）衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs（100）衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的......
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱，结果表明NH4F／H2O2作为CZT晶体表面钝化剂，钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度，同......
本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线.首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO纳米颗粒的薄膜作为“种子”衬底.......
