LP-MOCVD相关论文
采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InA......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退......
本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另......
提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种......
利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......
通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层......
在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究......
本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况，分析了生长室内压力和基座转速对于流场......
使用SiC作为过渡层，采用自行设计建造的连通式双反应室高温MOCVD系统很好地克服了ZnO和SiC生长时的交叉污染问题，在Si基片上外延出高......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X......
由于高亮度发光二极管(HB-LED)可应用于室外大屏幕显示，交通指示灯，汽车尾灯，液晶显示背光源等领域，甚至可进入照明领域，将引发一场照明......
利用MOCVD系统在Al2O3衬底上生长InGaN材料和InGaN/GaN量子阱结构材料.研究发现,InGaN材料中In组份几乎不受TMG与TMI的流量比的影......
分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程,给出了In并入外延层的效率表达式.依据该表达式,解释了生长速率、生长......
