INASSB相关论文
InAs1-xSbx属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料，随Sb组分含量的不同，室温下可覆盖3～12μm波长，并且InAsSb材料具有载流子寿命长、吸收系......
红外焦平面探测器的光谱一致性是评价材料制备水平的重要参数之一。探测器材料因制备工艺的不同而存在差异。由于光谱仪光斑尺寸的......
工作在中长波的红外探测器可被广泛应用在空间成像、军事和通信等领域, 锑基InAsSb材料由于其特殊的性质是制作长波非致冷光子探测......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系......
采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性......
Growth and characteristics of InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm prepared by one-st
InAsSb epilayers with a cutoff wavelength of 4.8 μm have been successfully grown on InAs substrates by one-step liquid ......
用分子束外延（MBE）方法生长了InAsSb／InSb多量子阱结构，并对其进行250℃、8h的退火。采用X射线光电子能谱（XPS），通过Ar离子刻蚀对样品退火......
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman......
利用LP-MOCVD技术，采用两步生长法，在（100）GaAs单晶衬底上生长高质量的InAs0.9Sb0.1。用扫描电镜、X射线单晶衍射、Hall测量以及Raman......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备，用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源，三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在（100）面GaSb和GaAs单晶衬底上......
工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。......
为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响，用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层．用傅里叶......
用熔体外延法(ME)生长出厚度达到100μm的InAsSb外延层,截止波长进入8～12μm波段。测量结果表明,InAsSb材料具有良好的单晶取向和结......
用熔体外延（ME）法在InAs衬底上生长了InAsSb外延层，用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品的横截面，并测量出外延层的厚度达到100μm，用X-射线......
采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型（100）InAs衬底上生长了InAs0．96Sb0．04薄膜．在1．5～5．5eV光子能量范围采用紫外-可见光椭圆偏振光......
基于nBn结构的InAsSb器件具有扩散电流极限低、造价低廉、容易实现大面阵以及可兼容现有III--V族二极管电路等诸多优点,是小型化、......
InAsxSb1-x薄膜以其结构稳定、高载流子迁移率、小介电常数等优点在中长波红外探测领域具有潜在的应用前景。但由于缺乏晶格匹配的......
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外......
nBn型红外探测器可有效抑制产生-复合电流,进而提高探测器的工作温度。由于制备工艺可移植于Ⅲ/Ⅴ族成熟工艺以及存在晶格完全匹配......
InAsSb是一种含锑合金半导体材料,能够通过调节组分获得0.1~ 0.36eV范围内的禁带宽度值(相应波长范围3.4-12.4μm) ,在所有Ⅲ-Ⅴ族......
用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果......
在Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中,具有最高的电子迁移率和电子饱和漂移速度的窄带隙材料InAs、InSb和InAsSb可以与宽带隙材料AlSb、GaSb以......
作为一种新兴的红外光电材料,InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注。InAsSb探测器的优势......
InAsSb由于其禁带宽度窄、电子迁移率极高等优良特性受到了世界各国的广泛关注。对中长波红外波段的探测而言,InAsSb材料的探测器......
本文利用傅里叶红外光谱仪等手段对InAsSb以及InNSb薄膜的远红外反射光谱以及光电流响应光谱等进行了研究，同时还利用波长可调谐的......
用熔体外延法,在液相外延系统中,在InAs衬底上成功地生长出了截止波长为11μm的InAsSb单晶.虽然使用液相外延设备,但熔体外延具有......
针对室温（293 K）条件下使用要求,采用InAsSb单晶材料加浸没透镜制作成2～9μm波段高灵敏度光导型InAsSb红外探测器。实测光谱响应值出......
本文系统地研究了GaSb(001)衬底上InAs/InAsSb超晶格材料的分子束外延生长,在此之前,首先研究了低温GaSb薄膜缓冲层和InAsSb薄膜的......
InAs1-xSbx和GaxIn1-xAs1-ySby是两种典型的中红外锑化物半导体材料,前者能够通过调节组分使其禁带宽度值覆盖3～5μm和8～14μm两个大......
用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(InAs)衬底上,制备了长波铟砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶。熔体外延法,是一种改进的液相外......
系统探索了GaSb（001）衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、......
