GaInAsSb相关论文
设计了一种从衬底入射的共振腔增强型GaInAsSb/GaSb光电探测器结构.在这种结构中,上反射镜是由9.5～15.5个周期的InAs/GaSb QWS组成,......
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引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大2......
研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果 与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件......
用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外延层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量、Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外......
Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物GaInAsSb材料，随着材料组分变化，它的带隙在1.42～0.1 eV的范围内变化，覆盖了1～3微米、3～5微米、8～14微米三个重要红外......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaSb及其四元化合物半导体GaInAsSb材料均为具有闪锌矿结构的直接带隙半导体材料,因此在制造发光二极管、......
