表面电场相关论文
从纳米Ag颗粒表面等离子激元光学及表面高能电场特性两方面入手,较为系统地研究了周围介质的导电特性对表面等离子激元的影响.通过......
目前我国输电系统规模巨大,输电距离远,特高压输电线路能减小走廊面积,有效提高单位输电线路走廊宽度的输电容量,从而最大限度地提......
NexFET器件作为一种新型功率MOSFET器件,其兼具低导通电阻、低栅极寄生效应、高可靠性、高电流密度以及大电流能力等优点,且工艺简......
土壤中含有大量的带电颗粒,包括各种黏土矿物、氧化物及其水合物、土壤腐殖质、蛋白质以及微生物等。研究表明,土壤各种颗粒的平均......
高压输电线路常采用多分裂导线提高单位输电线路的输电容量,由于子导线之间的互相影响,表面电场分布并不均匀.这种不均匀性增大了......
主要介绍了三种以光传感器为核心的绝缘子在线监测技术，包括光传感器盐密监测技术、光纤复合绝缘子监测技术和光传感器绝缘子表面电......
在架空输电线路设计与运行过程中，线路附近的电磁环境日益受到重视，而导线表面电场是选择导线型号、评估输电线路电晕特性的重要基本......
输电导线起晕的重要判别条件是导线表面电场强度足否达到临界值。为研究分裂导线表面起晕的分布情况，本文根据单相八分裂LGJ-500导......
复合绝缘子在我国电力系统中挂网数量越来越多，且500kV电压等级输电线路上也有不少运用。为确保电网的安全可靠，有必要掌握复合绝缘......
基于有限元方法，建立了输电线路直流复合绝缘子三维电场计算模型。研究了影响复合绝缘子表面电位和电场分布的因素；为控制复合绝缘子......
导线表面染污是影响直流输电线路的电磁环境问题的重要因素。本文使用有限元分析软件对导线表面存在污秽颗粒时的电场分布情况进行......
由于220kV站用复合支柱绝缘子,伞裙和护套材料易被鸟啄导致损伤,严重威胁电网安全.因此本文基于有限元方法研究鸟啄对220kV站用复......
气体中空间电荷的存在会影响输电线路的电晕放电特性和线路周围离子流场分布,直接关系着超/特高压输电线路的工程设计和电磁环境评......
本文利用有限元法对环氧树脂浇注干式变压器绕组表面电场进行仿真分析,并结合变压器绕组表面放电原理和过程,提出出有效防治绕组表......
会议
本文采用气相色谱法对聚合物绝缘材料在电痕化过程中所产生的气相组份进行了分离分析和定性、定量.讨论了PMMA 等四种聚合物材料在......
本文就大台面高电压、大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上闸述了钝化机理，系统介绍了台面造型、玻璃涂复、熔烧等工艺途径，并给出了......
简单介绍了８５０Ｖ／１８Ａ、１２００Ｖ／８ＡＩＧＢＴ的研制与工艺，并给出了测试结果。
The development and technology of 850V / 18A and 1200V / 8AIGBT are briefly ......
研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对......
本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效......
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特......
本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的......
：在低压荧光辉光放电器件中加入适量的Ｈｇ来抑制溅射。延长器件的寿命。理论分析和实测结果证明该方法行之有效。
: Low-voltage fluo......
提出了一种ＭＯＳ栅晶闸管的新的关闭栅结构——耗尽型ＭＯＳ关闭栅，有效地改善了多元胞器件元胞关断的非均匀性．
A new closed gate structure ......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
提出了 TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了表面电场和电势分布的相关......
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面......
提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon oninsulator,SIO)高压器件新结构.双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面......
在强电场条件下,由阴极通过场致发射产生的电子具有很强的空间电荷效应,因此真空二极管的空间电荷限制电流是设计高功率微波源等强......
为了改善金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应(SCE)、漏致势垒降低(DIBL)效应,提高电流的驱动能力,提出了单Halo全耗尽......
本文对耐压要求为700V的LDMOS进行了研究。通过分析影响LDMOS参数的各种因素,以BCD工艺为基础,借助模拟软件Tsuprem4及MEDICI对Dou......
针对功率集成电路对低损耗LDMOS(lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求,在N型缓冲层super junction LDMOS(buffered SJ-LD......
用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性。实验结果......
土壤颗粒表面大量的负电荷会在固-液界面产生强大的电场,影响土壤溶液中离子的吸附过程.本文以紫色土K+饱和样为研究对象,运用考虑......
球形纳米粒子已经被广泛地应用于表面增强拉曼散射.为进一步提高纳米球表面电场,从而提高表面增强拉曼散射信号强度,本文设计了平......
采用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ嵌入簇模型方法，研究了ＣＯ／ＮｉＯ（１００）吸附体系。比较表面电场作用与轨道作用对ＣＯ性质的影响，并考虑到ＢＳＳＥ校正，对ＣＯ在ＮｉＯ（ｌ００）面上的吸附行为有了较深入的认识。......
随着电子设备的日益复杂,对电子元件的可靠性要求也愈来愈高。特别是那些用于恶劣环境的空间电子设备,可靠性更是不可忽视的问题......
一、问题的提出当硅体内击穿电压满足了额定容量要求之后,与硅表面相连的结末端将成为突出的薄弱环结.为减少表面效应、降低表面......
纵然人们使光学系统的各光组最优化,散射光亦被减少,成象用的光敏列阵所能获得的空间分辨率还会受到光生载流子在均匀掺杂半导体中......
制作了离子注入MOS晶体管,测量了诸如阈值电压、有效迁移率等电学性质。发现在注入硼离子(~(11)B~+)的p型沟道的情况下,阈值电压V_......
在硅——二氧化硅之间有个过渡层,过渡层中存在着界面态和固定电荷,它们能影响晶体管和集成电路的性能。本文简单介绍了界面态和固......
本文对 GD—a—SiC∶H SiO_2绝缘栅场效应管进行了研制,并对 GD—a—Si(0.8)C_(0.2)∶HMOSFET 特性进行了测量研究.
In this pape......
本文介绍一种新颖的由八个PMOS高压器件组成的高压PMOSIC,描述了高压PMOS的器件设计和工艺设计,高压PMOS器件的物理模型,并给出了......
