通态相关论文
自从1968年硅半导体在SS；0008号机车上代替引燃管水银整流器正式投人运用以来，半导体交流器在机车上的应用越来越广泛。从早期的仅用......
SS_4改进型电力机车变流装置由主电路整流及相控调压半控桥、改善功率因数的晶闸管无接点开关和供牵引电动机励磁的单相半控整流......
在发电机励磁系统中多个功率柜并联运行时,若功率柜出力不一致,会影响功率柜单元的寿命与机组强励效果,不利于机组的长期稳定运行......
本文介绍了一种新型的非穿通型（ＮＰＴ）绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）。该器件直接基于体硅材料上而没有任何降低寿命的步骤。论证了此器件能兼具低通压......
本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究......
首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解......
本文介绍了功率器件的发展过程，重点阐述了近年来出现的可关断晶闸管的结构，工作机理，及它们各自的特点。
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在分析其它电流保护方法的基础上．提出一种实效电流保护新方法即采用对可关断晶闸管阳极电流值及其上升率同时监测分级保护的方法，并......
采用图1所示电路,就可用PC的打印机端口来设置倒相放大器的增益。该电路使用一只4:1模拟多路转换器IC_1来选择一对外接电阻器。多......
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)都能提供低损耗开关性能,但在驱动方法和保护措施方面有着明显区......
本文简述了静电感应晶体管（ＳＩＴ）大功率感应加热电源的研究成果。着重介绍了ＳＩＴ的参数选择及控制方法。此项成果已成功地应用于全固态高频钢......
阴极图形对高频晶闸管ｄｉ／ｄｔ的影响ＴｈｅＥｆｆｅｃｔｏｆＣａｔｈｏｄｅＣｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｏｎｄｉ／ｄｔＣａｐａｂｉｌｉｔｙｏｆＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎｃｙＴｈｙｒｉｓｔｏｒ￥／／清华大学王晓彬，王培清，张斌（北京１０２２０１）１前言ｄｉ／ｄｔ...
Effect of Cathode Pattern on High Frequency Thyristor di ......
IR公司推出新系列HEXFET型MOSFET为高效电力控制提供有效的解决方案。新的500～650V的MOSFET在批量生产的电源用开关器件中效率是最......
2006年4月15日，昆仑工控第三届企业职工运动会在北京机械工业学院举行了一场欢庆与友谊的派对。经过一整天的激烈竞赛，第三届昆仑运......
在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上， 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行......
以静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的长期工艺实践为基础，总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响，并分析了其原因，提出了改善ＳＩＴＨ器件性能的工艺和......
静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值l......
可控硅不仅具有硅整流器的特性,更重要的是它的工作过程可以控制。在可控整流、交流调压、无触点交流直流开关、逆变和直流斩波方......
本文讨论了烧结工艺对可控硅参数的影响，并对存在的问题进行分析，通过对烧结工艺的改进，使工艺中存在的一些问题得到了解决，从而提高了......
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor-IGBT),最初是为解决 MOSFET 的高导通压降而难于制成兼有高压和大电流特......
国际整流器公司(IR)推出 IRLR7833及 IRLR—7821两款 HEXFET 功率 MOS-FET,它们以最新的条形沟槽(Stripe—trench)技术设计,为当......
国际微电子学中心(IMEC)开发出一种新的RF-MEMS开关结构,该开关结构的隔离性能和插入性能可独立优化。与一般RF-MEMS电容开关相比......
流动态热分析及其和色谱的在线联合技术是一种较为有用的方法。在催化研究中亦有很多应用,可以作诸如反应机理的推断、催化剂活性......
提出了一种低功率损耗的新结构 IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构 ,该耐压层包括深扩散形成的 n型缓冲层和硼注入形成的......
阐述了最近出现的几种器件的原理,诸如超级结型(Super Junction)MOSFET,IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有100......
意法半导体公司推出首批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率 MOSFET 第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)......
带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极相比,平面门极更适合高速应用。实验结果:在20k......
在200W连续导通模式功率因数佼正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二极管比较,砷化镓,碳化硅在P......
最近几年里,由于IGCT具有较低的导通和开关损耗,它们已经成为中等电压电平用的电力半导体器件。两种损耗之间的折衷可以通过各种寿......
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。依照超结(SJ)电荷平衡概念所设计的器件,由于有......
据《今日电子》2006年十月刊介绍,集成门极换流晶闸管(IGCT)是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的器件。门极......
为适应电焊机行业的发展,满足高效、节能,批量生产的晶闸管弧焊整流器和CO_2气保焊机晶闸管电源的需求,北京市电子元件厂对原有晶......
在建立GCT器件模型的基础上,利用silvaco软件,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明,决定GCT的通态压降的关键......
减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳......
简要介绍了五强溪水电厂2#机组励磁整流桥不均流状况原因及处理方法,对于励磁装置类似现象的缺陷处理,有一定的借鉴作用。
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本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1......
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiC MOSFET,并与1200V常闭型SiC JFET(结型场效应晶体管)和1......
问请问如何判断DFA100BA160模块中晶闸管的好坏?答DFA100BA160是三相二极管全桥整流电路的正输出端串联一晶闸管的混合功率模块,其......
意法半导体(STMicroelectronics)推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管,其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术......
