直接键合相关论文
由于基于光纤法布里-珀罗腔的传感器具有抗电磁干扰、易于小型化、灵敏度高、耐高温、成本低等优点,因此被广泛应用于航空航天、大......
针对高温环境下压力参数的原位测试需求，本文基于碳化硅（SiC）材料优异的耐高温特性，研制了一种光纤法珀式全SiC结构耐高温压力传感器。......
硅基异构集成和三维集成可满足电子系统小型化高密度集成、多功能高性能集成、小体积低成本集成的需求,有望成为下一代集成电路的......
晶圆低温直接键合技术与传统键合方式相比具有对晶片及器件损伤小、无中介层污染、无需外部电场辅助等优势,在功率型半导体光电及......
硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。......
报道了硅片直接键合ＳＯＩ单模梯形大截面脊形波导的研制．对于波长为１．３μｍ的光，这种脊形波导的传输损耗小于０．８５ｄＢ／ｃｍ．
Reported the direct bonding si......
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制......
本文利用硅硅直接键合技术引入了一种完全采用单晶硅制作的静电激励的微机械谐振器，文中对静电激励力进行了分析，实测表明该谐振器频......
介绍了当前世界上体硅和SOI材料及其器件辐射加固技术的发展现状,并介绍了主要的辐射加固CMOS IC的研制现状。
The current devel......
对十年来光电子集成技术的发展作了简要的回顾。着重介绍了近年来兴起的一种新颖的集成技术─-异质半导体直接键合技术的工艺和特......
ABriefIntroductiontiontothe1997ElectronicPackageTechnologySymposiuminChina1997年全国电子封装技术学术会议于11月6日至11月9......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
ＮＥＣ在世界上首次开发了在多引脚、窄间距半导体器件的Ｉ/Ｏ端上与外部电路连接布线技术— 4 0 μｍ的超窄间距键合。近来 ,随着电子器件高性......
介绍了电力电子模块的关键绝缘材料——铜-陶瓷共晶键合基板的技术(DCB技术)及其应用。
This paper introduces the technology o......
温度场是微系统领域中热键合技术的一个关键参量。在激光局部加热键合工程中通过控制激光键合参量可以获得受约束的局部高温分布而......
本文报道聚[2,2′-(1,4-次苯基)-6,6′-氧双(3-苯基喹(口恶)啉)](简称PPQ)金属络合物的X-射线光电子能谱(XPS)研究,作为杂环高分......
阐释3D集成技术的发明创意,分析2D-IC互连瓶颈的挑战,例示3D-IC的优点,详论3D集成工艺技术的发展,简介3D集成设计技术,研究结论是3......
由我国科技人员自行研制的高技术材料 DCB 陶瓷覆铜板,日前在山东淄博市临淄银河高技术开发有限公司顺利通过国家鉴定。该产品是......
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术 .高反射率的SiO2 /Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上 ,然后键合到InGaAs有......
最近实验临床的人工肾用固定化脲酶使人工脏器小型化。把酶直接键合在分子筛上,文献未见报道。由于分子筛中大多含有硅氧和铝氧键......
本文介绍了一种实用的声学成像技术,可以在键合晶圆对的同时,对界面缺陷以及不同材料的晶圆划痕进行成像检测。
This article pre......
设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/......
多层圆片键合是实现三维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅......
将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面 ,对键合有若丹菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析 ,结果表明 ,两种染料通过锗......
基于氧等离子体活化的硅硅直接键合是一种新型的低温直接键合技术。为了优化工艺参数,得到高质量的键合硅片,选用正交试验法,研究......
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高......
标题配合物是以THF作溶剂,通过(C_5H_5)_2NdCl·ZLiCl和甲基萘钠的还原反应合成的。其晶体属单斜晶系,P 2/c空间群,晶胞参数α=9.2......
本文提出了一种化学键合方法,它能将光敏染料直接键合在抛光的单晶硅表面。对由该方法得到的键合有菁染料及碳菁染料的硅片,进行了......
本文采用Si/Si直接键合制备p~+/n~-、n~-/n~-结构的工艺原理及方法。通过实验,摸索出了一种有效的表面清洗-高温处理Si/Si键合工艺......
本文叙述有关硅片的直接键合技术工艺过程,键合特性及其应用.它是将已知的玻璃封接技术应用到硅片上,键合强度和键合电特性都很好,......
序号专 利 名 称发 明 者申请号申请 日1半导体直接键合的表面处理方法吕世骇、阮宝松郭耀华、蔡耀明陆明莹、87工0593787.12.1287......
一、引言 制备新型高质量SOI材料的直接键合法——SDB技术(Silicon-Wafers Direct Bonding Technique)正受到人们的密切注视。如......
本文介绍了近年新发展起来的硅片直接键合(SDB)技术,并利用该技术制造了性能良好的平面型高反压大功率晶体管,SDB技术比起常规的三......
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从......
硅片直接键合(SDB),即硅—硅键合,是一种把两个硅片直接键合在一起的一种工艺,它不需使用如聚合物或熔融玻璃的中间粘结剂,也不需......
用SIMS和扩展电阻测试研究了常规p~+/n和n~+/n硅/硅键合界面的杂质O,H,C,N,Fe,Ni以及掺杂原子B,P的行为。经1 100℃ 1小时键合后,......
硅直接键合工艺(SDB)自1986年Shimbo提出以来,日益受到国内外的重视。SDB与IC工艺兼容且具灵活的优点,为硅传感器提供了一种新的......
通过玻璃介质层的硅片直接键合法形成ＳＯＩ结构＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－５５～６０在集成电路工艺中，采用ＳＯＩ结构可以大大减小寄生耦合，提高击穿电压，降低所需功率，提高集成密......
本文分析了ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ和ＤＷＢ／ＳＯＩ结构的性能特点．尝试用ＤＷＢ／ＳＯＩ材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品，并测试了１．１５μｍ和１．５２３μｍ激光的ＴＥ和ＴＭ模的传输损耗．１．５２３μｍ光的ＴＥ模的最小传......
报道了硅片直接键合（ＳＤＢ）ＳＯＩ大截面单模脊形互型分支波导的研制．对于波长为１．３μｍ的光，在θ＝２°小分支角时，这种分支波导的通道串音小于－２０ｄＢ，辐射损耗小于......
