铝镓铟磷相关论文
用低强度氦氖激光血管内照射治疗已经为国内许多临床和基础研究证明,对许多病症有较好疗效,近年来国产低强度半导体红色激光血管内......
半导体发光二极管因其功耗低,体积小,寿命长,发光效率高,节能环保等突出优点而被广泛应用。为研究出适用于照明和超高亮度领域的高......
20世纪90年代初，随着红、橙、黄色AlGaInP高亮度LED(Lighter emittingDiode发光二极管)的实用化，揭开了LED发展新篇章。由于LED具有......
全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,......
提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaIInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率......
全方位反射镜（ODR）AIGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化：采用2／4n厚的SiO2作为介质，光刻腐......
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极......
The optical parameters for three samples of intrinsic,doped Si and doped Mg（AlxGa1-x)yIn1-yP prepared by the MOCVD on GaA......
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜（ODR）LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡（ITO）做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压......
提出了一种新型全方位反射AlGaInP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去......
分析了隧道再生双有源区A lG aInP发光二极管的工作原理,测试了不同注入电流下管芯的轴向光强,得到了轴向光强随注入电流的变化关......
利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXR......
本论文在理论计算的基础上,设计了具有铝砷／镓砷(AlAs/GaAs)布拉格反射镜(DBR)结构的铝镓铟磷(AlGalnP)应变多量子阱(MQW)发光二极......
建立了发光二极管提取效率的理论计算模型，分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素，包括从出光表面出射的......
