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根据JKR接触理论，推导出晶片直接键合时晶片接触表面粗糙度需要满足的条件，其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型．分析结果表明，晶片直接键合的条件与无量纲参数α有关．以硅片键合为例，根据参数α可以把硅片键合分为三种类型：硅片直接键合（α〉1．065）；在外压力作用下键合（0．57〈α〈1．065）和有空洞产生的键合（α〈0．57）．实验数据与理论结果吻合得很好．