杂质分布相关论文
区域熔炼法是一种制备超高纯金属的深度提纯技术。随着精密电子仪器、航空航天、现代通信、光伏半导体等战略性新兴产业的进一步发......
随着功率双极集成电路在军民两用的各种电源管理、功率驱动等领域中应用日益广泛，集成电路工作电压逐步提高，原有工艺技术和工艺规范......
为获得高纯金属铟,对区域熔炼装置和工艺条件进行了优化.在熔区移动速度为3cm/h时,根据熔炼次数(n)改变熔区宽度(I/L),即n=1～4时I/L......
本文考查了添加剂硫对镍锰钴粉末触媒合成金刚石的颜色、晶形的影响，利用扫描电镜、电子探针和波长色散X射线荧光光谱对硫—Ni70Mn2......
本文采用kahn撕裂实验法测试试样断裂韧性，并通过扫描电镜观察，研究了添加微量Ce对高Cu/Li比Al-Li合金杂质分布及断裂韧性的影响，结果......
本文对SiGe单晶的生长原理及生长方法进行了研究,并对自行研制的PMCZ生长法进行了阐述.同时对利用该方法生长出的掺杂不同锗浓度的......
本文对不同工艺条件下生长的区熔硅单晶的固液交界面进行了电阻率测试,实验结果表明:在相同的生长工艺条件下,各等温面上具有相同......
Based on a discrete phase model, the numerical simulation is carried out for the flow fields of different size calcium c......
硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。......
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同......
一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广......
针对现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，开展了受主双质掺杂新技术的研究．经对比实验和工艺论证，首先研究成功开管铝镓一步扩散法．应用证明，该项......
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度......
根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程，对电容变化比较大时变容管的Ｃ－Ｖ曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研......
测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１．
The longitudinal distribution of germanium......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
就现行P型杂质扩散工艺的不足，进行了开旮铝镓掺杂技术的研究。经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功，具有先进性和实用性，可明显地......
主要介绍快速热处理（ＲＴＰ）技术［１］，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火（ＲＴＡ）［２］、Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的......
根据区熔（Ｆｚ）硅ＧＧＤ法的生长模式，进一步推算出其掺杂浓度的轴向分布及其均匀分布所需的预掺杂时间，所得计算结果与实验值非常接近．
Accordin......
介绍了双极工艺基区和发射区结构模拟所涉及的物理模型，包括与单种工艺有关的杂质分凝模型、硼的间隙扩散模型及高浓度磷扩散模型等......
本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，在７８０℃下进行了硅低温外延，取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好、界面杂质分......
1 超微细 MOS 中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发......
在镁法炼钛中,镁还原产物——海绵钦坨中的杂质分布是不均匀的,它的中心部位杂质量少,产品质量高,四周产品质量则较差。一般说来,......
受益于快速发展的硅片工艺,IGBT硅片和二极管硅片的性能得到了显著提高并且日趋接近其理论极限。三菱电机通过采用新的硅片技术,已......
本文介绍了用俄歇电子谱、X射线能谱、扫描电镜和透射电镜对钼中的缺陷,特别是钼片的表面缺陷“白点”的研究结果。发现钼片白点实......
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本文使用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Co掺杂TiO_2稀磁半导体中氧空位对体系能量和磁性的影响.通过对总能量的计算发现......
多晶硅锭顶部通常会含有高密度的杂质分布，杂质引起多晶硅锭利用率偏低，使生产成本升高。杂质的分布与长晶界面以及长晶速率具有......
对激活硅(Si)晶圆中高能注入磷(P)的激光退火方法展开研究。采用的P离子注入能量为4.8 MeV,在Si中的注入深度可达6μm。分别采用单......
当钢中含有一定量的钒及氮时,可强化和细化晶粒,提高钢的耐磨性和抗疲劳性等综合力学性能。而且在保证钢材强度的前提下,增加钢中......
为研究电磁搅拌对金属凝固组织的影响,在实验室做了一些热模拟试验工作.实验采用旋转型电磁搅拌器.在相似条件下,液态金属在电磁搅......
近年来,随着世界电子技术的迅速发展,国内外正在广泛深入地开展晶体、半导体的研究工作:包括单晶表面与内部晶体辐射损伤的研究,......
激光喇曼光谱作为物质结构分析的一种强有力工具,已为越来越多的人所重视和利用。显微喇曼光谱技术、表面增强喇曼光谱分析技术、......
在实验和理论分析的基础上,提出了铜的氧化过程不是由单纯的扩散控制,而是分为三段:前期由化学反应控制;中期由化学反应与扩散混合......
微波技术要求降低外延温度以获得陡的界面杂质分布。如果在非晶衬底上能够得到完整的晶体,对半导体技术来说,将是变革性的突破。......
一、影响标准热电偶热电特性和使用寿命的因素1.热电极的氧化和挥发高温条件下,标准热电偶的电极表面被氧化,产生铂和铑的氧化物,......
对扩散p-n结的光电流在短波长区域的响应进行了解析研究。本文假设扩散p型区的杂质分布为高斯分布,并与前人的指数杂质分布结果作......
航空摄影时大气烟雾对曝光时间是有影响的,但这种影响往往被人们所忽视,致使航摄质量变坏。本文在实际测量的基础上对这一问题,进......
用一种联机计算机控制测量系统收集和分析了离子注入MOS结构的1MH_Z电容-电压(C-V)数据。这种分析算法考虑了耗尽区宽度小于两倍德......
对低剂量离子注入,用C-V测量方法进行注入分布和剂量的检测。可作为器件制造的分析和工艺监控。报告介绍了测量原理、方法和典型结......
在以击穿电压V_b和结电咨C_j(-60)作为器件低频参数的基础上,研究了器件低频参数与高频性能的关系,增添电容比C_r(=[C_j(-1)]/[C_j......
