晶格损伤相关论文
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+......
本文主要阐述铁注入Al_2O_3陶瓷退火前后的表面电性能。应用卢瑟福背散射分析(RBS)、俄歇电子能谱分析(AES)和X-光电子能谱分析(XP......
我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SR......
离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消......
本文报道了离子刻蚀前后氮化镓(GaN)薄膜的拉曼光谱,通过分析拉曼光谱中的E模和纵光学声子(LO)与等离子激元形成的耦合模(LPP)的高......
研究了＜0001＞和＜1210＞晶向α－Al2O3单晶在高剂量的Y、Pt离子注入后产生的损伤，注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，在室温，171keV、......
用热分析法探测固体核径迹,并在磷灰石中成功测量核径迹数,这种探测方法有广泛的应用价值.本文在实验基础上对α粒子核径迹退火机......
SOI(silicon-on-insulator)是在体硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的一种新型材料，是一种具有独特优势、能突破体硅材料与......
离子注人掺杂工艺已成为半导体器件和大规模集成电路生产中一项重要的技术.本文主要探讨目前集成电路工艺中,离子注入引起的晶格损......
对高能磷离子注入硅、低剂量迭加注入硅，高能低能双注入硅中引起的晶格损伤、二次缺陷及退火效应进行了初步探讨。......
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂......
参考人们对月质学的研究成果,从理论和实验两个方面研究了宇宙射线对地表矿物晶格的损伤大小及其对地质作用的影响程度.提出了宇宙......
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白色像素（WP）是CMOS图像传感器（CIS）的关键参数指标,而光电二极管的离子注入是影响白色像素的主要因素。本文基于4-T结构N型光电二极管......
提出了一种模拟空间环境下半导体材料晶格损伤速率的方法，计算了375km轨道高度不同纬度空间位置的飞行器模型中硅片产生晶格损伤的......
研究了〈０００１〉和〈１２↑－１０〉晶向α－Ａｌ２Ｏ３单晶在高剂量的Ｙ、Ｐｔ离子注入后产生的损伤，注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，在室温，１７１ｋｅＶ、１×１０＾１７／ｃｍ＾２Ｙ离子注......
秀卢瑟福背散射－沟道技术（ＲＢＳ－Ｃ）和Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）研究了Ｐｔ和注入ＹＳＺ（Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２）后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Ｐｔ的晶化，ＲＢＳ－Ｃ分析表明ＹＳＺ室温下的存在......
研究了〈０００１〉和〈１＾－２１０〉晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单昌）在注入３６０ｋｅＶ、１×１０＾１６ｃｍ＾－２或１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－１的Ｉｎ＾＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程......
在国家节能环保的号召下,促使着节能型器件和新型能源技术的不断创新发展。以IGBT、SCR、GTO、BIPOLAR等为核心的新型电源管理器件......
用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究......
综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合......
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺......
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定......
集成光学在现代光通信和光信息处理应用中起着关键作用,而光学材料异质结构是集成光学系统的重要组成部分。光学晶体异质结构是将......
二氧化钛已经得到广泛地研究,发现其具有广泛的应用,如太阳能电池、光催化、核废料存储、氧气敏器件、光解水产生氢和稀磁半导体以......
光电子器件的集成化和小型化是未来发展的趋势,光波导是其基本结构。基于波导结构的波导激光、光波导放大器,基于波导倍频和光学参......
在信息科技繁荣发展的背景下，光通讯技术近几年来得到了迅猛发展。光波导就是折射率高的区域由折射率低的区域包裹的结构。它可以把......
GaN作为第三代半导体材料,因其优良的特性,日益成为研究的热点。它在微电子和光电子领域具有十分广阔的应用优势和发展前景,同时离......
