【摘 要】
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在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+的注入剂量,当剂量超过1×10~(13)cm~(-2)时
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在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+的注入剂量,当剂量超过1×10~(13)cm~(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。
The differential Hall measurements of p-type HgCdTe implanted with 150 keV B ~ + at 77K showed that the n ~ + layers formed after implantation of different doses of B ~ + were evident. The thickness of n ~ + layer depends on the implantation dose of B ~ +. When the dose exceeds 1 × 10 ~ (13) cm ~ (-2), the carrier concentration of the wafer tends to be saturated.
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