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横向功率 LDMOS(Lateral Double diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)器件因其输入阻抗高、速度快、集......
横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结......
非平衡超结器件的电荷补偿能力在薄层SOI器件中受到限制,文中提出一种具有T型电荷补偿区的器件结构。通过漏端刻蚀的PSOI结构使硅......
本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽......
提出一种具有非均匀交叉分布P柱区（NCDP）的新型超结（SJ）LDMOS,NCDP SJ由一排嵌入在N漂移区的P柱区组成。该超结结构通过减少P区电荷来......
提出一种嵌入式非平衡超结器件结构，在n型外延层上通过高能注人间隔的P型埋层，形成嵌入式的超结结构。n型电荷与P区在四周形成电荷耗......
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS（SJ-LDMOS）击穿电压的不足，提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构．......
