针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结......

横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结......

为了抑制衬底辅助耗尽（SAD）效应并提高超结器件击穿电压,提出一种具有部分n^＋浮空层SJ-LDMOS新结构。n^＋浮空等位埋层能够调制器件横向......