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开关功率损耗降低40.5%!东芝成功开发出可大幅降低功率损耗的功率半导体三柵极IGBT
开关功率损耗降低40.5%!东芝成功开发出可大幅降低功率损耗的功率半导体三柵极IGBT
来源 :变频器世界 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rust123
【摘 要】
:
开关功率损耗降低40.5%!三栅极IGBT可提高所有电气设备中电源转换器的效率,为实现碳中和做出贡献。♦IGBT中的功率损耗存在一种此消彼长的关系,即:当IGBT导通状态下的功率损耗(以下简称“导通损耗”)降低时,开关损耗便会增加。
【作 者】
:
无
【机 构】
:
东芝中国
【出 处】
:
变频器世界
【发表日期】
:
2021年6期
【关键词】
:
电源转换器
功率半导体
导通状态
导通损耗
IGBT
电气设备
功率损耗
开关损耗
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开关功率损耗降低40.5%!三栅极IGBT可提高所有电气设备中电源转换器的效率,为实现碳中和做出贡献。♦IGBT中的功率损耗存在一种此消彼长的关系,即:当IGBT导通状态下的功率损耗(以下简称“导通损耗”)降低时,开关损耗便会增加。
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