宽禁带半导体器件相关论文
本课题基于国家重点研发计划项目“工业流程用高效电机系统”,针对新型宽禁带半导体器件变流系统特性及应用技术进行研究。随着电......
全世界数据中心快速兴建，其大量的能耗成为不可忽视的问题。近年来，宽禁带半导体器件不断发展，性能不断提升；软开关电路拓扑的研究趋于......
功率半导体器件是数字化电机驱动系统的核心组件，对驱动系统的性能具有重要影响。碳化硅(SiC)功率器件作为新兴的第三代宽禁带半导......
并联型多脉波整流器具有结构简单,可靠性高的优点,在大功率电能变换场合应用十分广泛。传统的多脉波整流器使用工频变压器作为移相......
近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管（Ga N HEMT）已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅（Cascode）G......
电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限,很难再大幅提升硅基电力电子装置的......
功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射......
先进的功率半导体器件是能量转换技术中最坚定的推动力。较之目前的硅(Si)材料,氮化镓(GaN)材料的绝缘击穿场强、饱和漂流速度、电......
为了更准确地评估碳化硅宽禁带半导体功率器件的性能和系统特性,需要搭建不同封装下器件的快速行为仿真模型,包括静态特性模型与动......
近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）已经开始应用在电力电子领域。GaN HEMT以其低寄生参......
