硅功率器件相关论文
新能源发电是当今社会的热点,随着化石燃料的日益枯竭,光伏发电无疑是其中很好的能源替代方案。光伏逆变器是光伏发电中的重要一环......
功率半导体器件是数字化电机驱动系统的核心组件,对驱动系统的性能具有重要影响。碳化硅(SiC)功率器件作为新兴的第三代宽禁带半导......
高档功率模块设计寿命主要受到2个寿命终结失效机理的限制:焊料疲劳和引线键合退化。扩银烧结或瞬态液相键合等工艺已经用来代替传......
硅功率器件包括功率整流管和晶闸管,它们在冶金、城建、交通、化工、国防等各个部门中都得到广泛应用,相应产品不仅技术先进,而且......
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体( STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)近日在混动汽车......
UPS作为提供电源保护的电子设备,从其产生至今已有30多年的历史了.功率器件从采用可控硅功率器件到晶体管、MOS管、直至IGBT的出现......
高压碳化硅功率器件(High Voltage SiC Power Device)以其在电力推动、高速轨道交通、新能源汽车、智能电网、太阳能、风力发电等......
瑞萨电子推出三款碳化硅复合功率器件RJQ.6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功......
本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较,总结了 其中的一般性规律,对终端结构优化设计的发展提出......
基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件MB51T008A可耐压150V。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,......
本文阐述了硅单晶电阻率对硅功率器件温度特性的影响,指出了如何根据硅功率器的额定结温和反向不重复峰值电压两项指标正确、恰当选......
<正>一、SiC功率器件的发展背景随着全球经济和技术的蓬勃发展,能源消耗逐年增加。目前,全球的二氧化碳(CO2)排放中有25%来源于汽......
据三菱电机董事兼技术总监Gourab Majumdar博士透露,三菱电机的功率半导体产品,已稳居全世界第二,因此,下一个目标是成为第一。具体来......
据三菱电机董事兼技术总监Gourab Majumdar博士透露,三菱电机的功率半导体产品,已稳居全世界第二,因此,下一个目标是成为第一。具......
本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化......
CISSOID日前宣布:公司已与中国科学院电工研究所(中科院电工所)达成战略合作关系,将共同开展基于碳化硅(SiC)功率模块的系统研发项......
《ZP型硅整流元件部标准》规定硅整流元件额定结温为140℃,为满足坦克硅整流元件的高温要求,在研制硅整充元件过程中,恰当地选取单晶电阻率......
文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响,并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电......
富士通半导体(上海)有限公司于近期推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150V,将于2013年7月起开始提供新品......
在电力电子行业中,硅功率器件已经成功地应用了五十多年,基于硅技术的功率器件即将达到其功率处理和开关频率能力的物理极限。尽管......
高档功率模块设计寿命主要受到2个寿命终结失效机理的限制:焊料疲劳和引线键合退化。扩银烧结或瞬态液相键合等工艺已经用来代替传......
功率半导体器件是航天器电源系统中的核心元件,太空环境中的粒子辐射会使其发生失效。首先,总结了硅功率半导体器件几种主要的辐射......