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介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲大功率晶体管的实验结果.在3.5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率3 5%(脉冲宽度100微秒,占空比5%).
3．5GHz65W硅脉冲大功率晶体管研制
【摘 要】
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介绍了采用梳状发射极自对准工艺研制的硅微波脉冲大功率晶体管的实验结果.在3.5GHz频率下,该晶体管脉冲输出功率65W,功率增益7dB,集电极效率3 5%(脉冲宽度100微秒,占空比5%)
【机 构】
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河北半导体研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年11期
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