【摘 要】
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针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注
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针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺，对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管（ＧＴＲ）的三重扩散工艺进行了模拟，结果与实验吻合很好。此外，在模拟中将离子注入引入ＧＴＲ工艺，对改进ＧＴＲ工艺具有一定的参考价值。
In view of the diffusion model of integrated circuit process simulation is not suitable for high-power device technology, the model has been properly amended. Based on this, the triple diffusion process of high power transistor (GTR) was simulated and the result was in good agreement with the experiment. In addition, introducing ion implantation into the GTR process in the simulation has certain reference value for improving the GTR process.
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