宽禁带相关论文
功率器件是宇航电源的重要组成部分，在整个航天技术快速发展的背景下，现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化......
碳原子由于具有独特的sp-,sp~2-,sp~3-杂化成键能力,能够形成多种结构和性质迥异的碳材料。自然状态下,其常以石墨、金刚石、无定......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
构造了三种慢变结构的光子晶体,利用光学传输矩阵方法对它们的光子能带特性进行了研究,发现所提出的结构能够十分有效地拓宽光子晶......
采用蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延材料,台面工艺隔离,Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属,Ni/Au肖特基接触金属,空气桥方法将源连接等主要技......
调查机构YOLE表示,目前碳化硅和氮化镓材料正在与传统硅材料激烈竞争,占据从低功率到高功率应用的巨大市场。目前,宽禁带器件市场......
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效......
设计并合成了二苯磷酰基取代的四苯基硅基团,并将其作为宽禁带聚合物母体材料构筑基元,通过Suzuki反应偶连3,6位取代的咔唑合成了......
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定......
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射......
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设......
首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗......
近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格......
1.引 言 在过去的三十多年中,碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)已经成为制造中波和长波(λ=3～30μm)红外光电探测器的最重要的半导体材料。......
在ＳｉＢＪＴＥＭ模型基础上，对其直流参数进行了修正，使其适应于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的直流特性：电流增益不是常量和自热效应．计算机模拟值与实测值在中电流和较大电流......
从材料、器件结构、特性及其应用等方面介绍了蓝色发光二极管（ＬＥＤ）的发展过程，并展望了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色二极管的应用前景，同时指出了目前急待......
利用ＺｎＯ微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同ｘ值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ薄膜．电子显微镜和Ｘ射线衍射研......
半导体材料与技术是推动信息时代前进的原动力和发动机,是现代高科技的核心与先导。半个多世纪的实践表明IT产业的每一次重大发展......
据悉美国Ⅱ-Ⅵ公司的宽禁带材料部门(WBG)计划生产100 mm直径的半绝缘SiC衬底。在这个由美国军方资助的为期3年,投资额为750万美元......
基于GaN和SiC材料的高功率RF半导体开发商们如果继续将目光盯住蜂窝基础构件市场将难有成就。这是根据ABI Research公司分析师们对......
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半......
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密......
863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近日取得重大突破,在我国(除台湾地区外)首次实现了室温光泵条件下氮化......
Energy transport in femtosecond laser ablation can be divided into two stages: 1) laser energy absorptionby electrons d......
本文介绍了SiC宽禁带功率器件的特性及其在相控阵雷达中的应用情况，与Si功率器件相比，该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作......
据《电子材料》(日)2010年第9期报道,三菱重工开发了一种具有自主知识产权的常温圆片接合机,成功地将SiC、GaN和蓝宝石在室温下分......
减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之一。众所周知,象SiC开关这样的宽禁带器件,在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳......
Cree的SiC MESFET及GaN(on SiC)HEMT微波功率放大器件:SiC MESFET/CRF240xx:频率为DC～2.7 GHz、工作电压为28～48 V,输出功率为10/60 ......
美国普渡大学研究人员采用β-Ga_2O_3半导体材料制造出了场效应晶体管,这种材料将能够用于制造超高效率开关,应用于电网、军用舰船......
近日,美国桑迪亚国家实验室研究人员展示了先进半导体材料制成的晶体管和二极管,性能远优于硅材料。这项突破朝着实现更紧凑、更高......
在宽禁带(wide band-gap)半导体的Si C器件中,为实现1.3k V以上的高耐压,双极性器件被认为是有利的。富士电机公司对模拟的预测与......
日前,沧州市高新区与科光控股有限公司签订合作协议,双方将在高新区建设宽禁带化合物半导体芯片生产基地。科光控股有限公司由加拿......
近年来,LaAlO3/SrTiO3界面的准二维电子气受到很多关注[1].LaAlO3和SrTiO3本身都是宽禁带的绝缘体.当把几个纳米厚的LaAlO3薄......
氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件......
宽禁带II族氧化物半导体材料体系,包括氧化铍(BeO)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)及合金,拥有较大的激子结合能(ZnO 60 meV,MgO 80 me......
氧化镓是一种具有宽禁带的新型半导体材料,得益于其良好的物理特性(具有较大的禁带宽度,较大的击穿电场强度等)以及良好的化学稳定......
由沈家骢院士主持的国家自然科学基金“九五”跨科学部重大项目有机／聚合物光电信息材料与器件研究”，自１９９７年启动以来，经过科研人员两年......
据《CompoundSemiconductor》2006年第4期报道,欧洲领先的SiC供应商德国SiCrystal公司,最近开始量产3英寸半绝缘衬底,这是它迈向功......
近几年来,出现了两种新的外延技术:分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)。这两种新技术提供了用常规方法制作高性能异......
本文报导了一种新颖的异质结光电晶体管(HPT),它采用的是双基区结构,以便使发射极-基极耗尽区置于宽禁带材料中。在半绝缘衬底上制......
