结合载流子热激发和场致激发的电离理论，对计算电离杂质浓度的物理模型和计算方法进行了修正，由于考虑了载流子的费米统计分布，载流子......

考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应，对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正，分析了造成6H—SiC NMOS与PMOS器件补偿......

扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应......

对自行研制的低温晶体管于液氮温度下进行了低频噪声测量，结果表明：与室温相比１／ｆ噪声显著增大，根据１／ｆ噪声理论，并参照器件室温和低温下ＩＢ－ＶＢＥ曲线......

根据半导体的电中性条件,并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响,利用计算机求解方法,得到费米能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规......