米勒效应相关论文
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
提出了一种“米勒通路补偿”(MPC)的两级放大器.基于米勒效应的分析,讨论米勒通路补偿的作用并将之应用于两级放大器结构.补偿后的......
与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很......
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由于IR2110内部不能产生负电压,因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰,对此研究了IGBT体寄生二极管反向恢复过程,并结合IGB......
移相全桥DC/DC变换器普遍应用于大功率场合,由于其开关管能实现零电压开通,大大提高了变换效率。然而滞后臂比超前臂开关较难实现......
为了满足实际应用的需求，设计了600V/50A等级IGBT模块驱动电路，电路重点考虑了由寄生的极间电容引起的米勒效应以及dV/dt对IGBT驱动......
为适应SiC-MOSFET相比Si-IGBT具有更快的开关速度、更低的工作损耗,同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点,研究了与其匹配的......
期刊
针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间......
随着世界各国都发布了更加严格的环保条约，新能源产品得到了广泛使用，电源变换器作为常用的新能源产品受到了人们的重视。作为电源变......
介绍了构成IGBT驱动电路的基本要求,分析光耦驱动门极电路原理及理论计算,阐述了采用光耦驱动产生米勒效应的原理。最后,给出了消......
在电力变频器和开关电源的设计中,在高性能固态开关装置的设计和实现中,MOSFET和IGBT的开关性能至关重要,要想获得最优化的开关性......
IGBT是变频器、逆变焊机等变流设备中不可或缺的器件,随着IGBT制造和应用技术的日趋成熟,已成为当前应用最广泛的功率开关器件,而I......
单极性IGBT驱动电路结构简单，成本低，却存在换流时射极产生负压引起振荡以及米勒效应引起二次开通等问题，针对以上问题设计了一种基于......
