欧姆电极相关论文
近些年来,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）于高温高功率等场合应用广泛,但是由于器件的欧姆电极热稳定性、直流性能退化、界面陷......
本文报道氖放电气体在分别受到连续和脉冲激光微扰时产生光电压效应的实验结果,并讨论了光电压效应的产生机制。......
压力传感器是在微机电系统领域最早开始研究并且产业化的微机电器件之一，微机电系统以微加工工艺为重点研究内容。本文主要对不同类......
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研究了特殊热处理和化学处理对通讯设备用过流保护PTC元件特性的影响。同时成功地实现了用铝电极代替银锌欧姆电极,得到了失效模式......
采用电子陶瓷工艺，制备了（Ba0.960Sr0.040Ca0.060）Ti1.044O3＋x系过流保护用PTC元件。用SEM、失效模式测试仪等研究了特殊热处理和化学......
研制了用于直播卫星接收机中单级和两级12GHz频段的GaAs低噪声放大器。单级放大器在11.7～12.7GHz带内提供小于2.5dB的噪声系数,大于......
NiO是一种天然p型直接带隙半导体材料,具有禁带宽度大(3.6eV～4.0eV)、化学稳定性好等优点,已在发光二极管、探测器、激光器、太阳能......
阻挡杂质带(BIB)探测器能对30~300μm的太赫兹辐射进行探测,与传统的光电导相比,它具有更高的量子效率、更长的响应波长和更优的抗......
作为一种室温核辐射探测器用宽禁带半导体材料,溴化铊(TlBr)晶体具有优良的发展前景。其较高的平均原子序数(Tl:81,Br:35)和密度(7......
ZnO作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电......
利用脉冲激光沉积方法在Al/Si衬底上生长出了高质量的n型ZnO单晶薄膜。研究并总结了以金属Al材料制备ZnO薄膜器件欧姆电极的方法。......
