低温生长相关论文
碳纤维增强聚合物基复合材料的破坏往往是由碳纤维与基体之间的弱界面导致的,构筑出色的界面能确保应力在纤维和基体之间连续有效......
TiO2因其优异的光催化活性、良好的化学稳定性和热稳定性以及安全无毒等特点,一直以来都是光催化领域研究的热点。然而单一TiO2存......
脉冲激光沉积(PLD)技术凭借其低温生长优势,逐步在GaN薄膜外延领域得到广泛应用。回顾了近年来PLD技术外延生长GaN薄膜的研究进展,......
多不饱和脂肪酸(polyunsaturated fatty acids,PUFAs)是指含有两个或两个以上双键且碳链长18-22个碳原子的直链脂肪酸,可以分为n-6......
Ⅲ-Ⅴ族的氮化物（GaN、AlN、InN）作为复合型的纤锌矿结构,能够形成相连接续的合金系统(InxGa1-x-x N和AlxGa1-x-x N),因此通过对其合......
硅和锗是被大家所熟知的一种半导体材料,是目前主导整个微电子工业的基石材料。锗硅合金在光电、探测、热电、高速器件等半导体器......
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发......
氮化硼是近年来所研究的新型宽带半导体材料中一种性能优异，极具发展潜力和广泛应用前景的合成材料。它具有优异的热稳定性、化学惰......
氧化铟锡(Indium-Tin Oxide, ITO)结合了可见光范围内高透过率和高电导率的特性，主要作为防反射涂层和透明电极广泛应用于各种光电......
铁电薄膜具有优良的铁电、介电、压电、热释电等一系列特殊性能，可以利用这些特性制作不同的功能器件，人们希望通过铁电薄膜材料与其......
本文利用双氧水溶液直接氧化钛金属制备二氧化钛(TiO2)纳米线和空心多面体,研究其生长机理和光催化性能。以H2O2和冷轧纯钛片为反......
学位
该文首先介绍了半导体表面辐射THz脉冲的基本理论,然后用数值计算和Monte Carlo方法研究了以GaAs和低温生长GaAs(LT-GaAs)为衬底的......
本论文从理论和实验两方面研究了纳米硅薄膜的光学、电学特性.理论上用单电子隧穿理论研究了纳米硅薄膜的电学特性,用声子限制模型......
氧化镍(NiO)薄膜材料是一种重要的宽禁带半导体功能材料,其以优异的物理、化学、光学、电学、磁学等特性,具有重要的应用前景和价......
氧化亚铜(Cuprous oxide，Cu2O)是光学禁带宽度为2.0～2.6eV的本征p型导电的直接带隙半导体材料。因其没有污染、原材料Cu来源丰富，且Cu......
研究了以（００１）ＧａＡｓ为衬底的用ＥＣＲＰＡＭＯＣＶＤ法生长的立方ＧａＮ薄膜的主要性质，阐述了实验过程与生长用设备。在生长过程中，衬底温度约为６００℃，反应器内压力约０４Ｐａ。......
期刊
报道用SiF4 和H2 的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅 (poly Si)薄膜 .实验发现 ,等离子体中的离子、荷电集团对薄......
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭......
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502cm?1附近散射峰的出现说明在样品中......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X......
以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体化学气相沉积技术 ,在衬底温度仅为 2 0 0℃时能获得多晶硅薄膜。最大晶粒达 1.5 μm ,结晶度在 90......
期刊
采用直流辉光等离子体助进热丝CVD的方法,低温(550～620℃)沉积得到晶态金刚石薄膜.经x射线衍射谱、扫描电子显微镜及Raman光谱分析......
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒（CIGSe）薄膜，利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量......
采用化学气相沉积（CVD）法在镀Cr（20nm）的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对样品的表面形貌......
首先采用热蒸发法在镀钼的PI衬底上沉积NaF薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积NaF的PI衬底上沉积铜铟镓硒（CIGSe）薄膜,研究了第......
采用Al+α-Al2O3复合材料及Al100-xCrx(x=10,20,30)合金作为靶材,用反应磁控溅射将a型籽晶引入氧化铝基薄膜中,研究了籽晶对氧化铝......
采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱......
在外延SrTiO3（STO）作为缓冲层的Si基片上，应用溶胶-凝胶法（sol-gel）和磁控溅射法，在5．50℃温度下制备了外延的La0.5Sr0.5CdO3／Pb（Zr0．2Ti0．8）O3......
考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物......
在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱......
采用电子束反应蒸发方法，在单晶Si(001)及玻璃衬底上低温外延生长了沿c轴高度取向的单晶ZnO薄膜,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光......
南瓜具有耐寒和低温生长较强等特性，可进行冬春早熟栽培、春季早熟栽培及春、秋露地栽培。早春栽培可用小拱棚半覆盖栽培，秋季栽培前......
探讨了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式,特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求.为了克服薄膜生长过程中......
纳米碳管在储能材料和场发射材料等方面具有非常广阔的应用前景.在纳米碳管的许多潜在用途中要求纳米碳管直接低温生长在具有导电......
采用SiCl4/H2 混合气源的等离子体化学气相沉积技术 ,在 30 0℃的玻璃衬底上低温制备出多晶硅薄膜 ,沉积速率大于 3 /s,晶化率达到......
用热丝化学气相沉积方法研究了低温（-550℃）和低反应气压（-7 Torr）下硅片上金刚石膜的成核和生长．成核过程中采用2．5％的CH。浓度，在经充分......
氮化镓（GaN）基Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料是制备蓝光到紫外光波段的半导体发光二极管（LED）、半导体激光二极管（LD）等光电器件的首选材料......
介绍了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式,特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求.为了克服薄膜生长过程中......
由于等离子体在低温下具有高活性的特点 ,等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术可显著降低薄膜沉积的温度范围。通常条件下 ,高质......
分析研究了热丝化学汽相沉积(HFCVD)法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响.结果表明 ,合理的选取工艺参数,可在较低温度(700～900℃)......
研究了高寒山区几种草本植物在低温生长过程中植物叶中抗氧化酶、抗氧化物和膜脂过氧化产物的变化及其作用。结果表明 ,耐寒性差、......
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H SiC单晶薄膜。其晶体质量和结构由X......
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线......
