结晶质量相关论文
太赫兹技术的不断发展和在各个领域的进一步应用，对碲化锌（ZnTe）电光晶体提出越来越高的要求。采用Te溶剂法生长碲化锌晶体，可以有效降......
采用一种简单、绿色、低成本的等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在950℃下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜.为了提高GaN薄膜结晶质量......
钙钛矿材料具有窄带隙宽度、高载流子迁移率和溶液可处理加工性等特点,已经被广泛用于钙钛矿发光二极管和太阳能电池等一系列光电......
以乙酸铜(Cu(CH3COO)2·H2O)、乙酸锌(Zn(CH3COO)2·H2O)、氯化亚锡(SnCl2·2H2O)、硫脲(CH4 N2 S)为原料,按一定配比制得前驱体溶......
铜锌锡硫硒(CZTSSe)太阳能电池因其优异的光学性能和低廉的成本而引起广泛关注.然而Mo电极在硒化过程中易生成硒化钼,导致Mo/CZTSS......
ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光......
采用CdZn作退火源,对Bridgman法生长获得的CdZnTe晶片进行了退火处理.测试结果表明,退火后,晶片的成分分布更均匀,结晶质量得到提......
钙钛矿活性层的质量是决定钙钛矿太阳电池光电转换效率和稳定性的重要因素。在一步反溶剂法制备钙钛矿时，较难实现结晶质量与Pb2+缺......
本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计......
采用脉冲激光沉积法(PLD)在LaAlO3(LAO)衬底上制备了Ag掺杂的La2／3Ca1／3MnO3薄膜，X射线衍射分析表明所制备薄膜均沿[001]单取向生长，ω......
利用电子束蒸发技术以不同的沉积方式并经高温退火处理制备FeSi2薄膜，用XRD、FESEM和AFM手段对薄膜样品进行了表征，主要探讨了不同的......
电沉积铜铟镓硒(ClGS)是一种低成本非真空制备薄膜太阳电池的方法，受到极大的关注。本文对从CuCl2、Incl3、GaCl3及H2SeO3所组成的......
研究了退火对溅射沉积ZnCdO薄膜(0≤x≤1.0)薄膜结晶质量的影响.结果发现:500℃下退火的薄膜具有最高的XRD衍射强度,但Cd组分含量......
作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH流量、......
本文采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、......
会议
The growth of a Mn-doped LiAlO...
金属卤化物钙钛矿材料由于其优异的光电特性和可溶液法制备的特点，引起了科研工作者们的广泛关注。经过近十年的发展，单结钙钛矿太阳......
衬底温度是磁控溅射法制备氧化锌薄膜中一个非常重要的工艺指标,探索衬底温度对氧化锌薄膜微结构及光学性能的影响对制备环保型高......
本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga......
介绍了一种以成本低廉的玻璃粉为主要熔剂,成分简单的TiO2结晶釉的研制方法,并给出晶花饱满的结晶釉配方为:玻璃粉:71.8%,长石:9.6......
典型的压电材料Pb(Zr0.52Ti0.48)O3因其优异的性能,可用来制备各种类型的压电器件,一直受到许多研究者的关注。采用PLD法在SrTiO3(......
前言最近几年,薄膜技术最惊人的进步之一是金刚石薄膜的低压合成。金刚石薄膜集物理、化学、光学以及电子学性能于一体,因此其应......
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM......
当生长ε相的硒化镓单晶时,组分挥发和固液界面震荡严重损坏晶体的结晶质量。利用改进垂直布里奇曼法生长出φ19 mm×65 mm硒化镓......
二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件......
采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700~1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200......
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体......
本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用......
本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种......
在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶......
本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配......
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来......
光助ＭＯＣＶＤ生长ＺｎＳｅ单晶薄膜＊赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关......
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0......
采用MOCVD技术在Al2O3（0001）衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品。实验......
用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上外延生长了InSb薄膜,并研究了异质外延InSb薄膜生长中缓冲层对材料质量的影响.采用原子力......
为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。......
采用二乙基锌(DEZn)和水( H2O)作为生长源,利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)的方法,在100 ～400℃低温范围内,在GaAs (001)衬底上制......
研究了生长压力对金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜的生长速率、表面形貌和结晶质量的影响.研究结果表明,......
采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在普通玻璃片上制备了ZnO:Al薄膜。通过热重-差示扫描量热曲线分析了前驱体在热处理过程中的物理化学变化......
用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别......
